trymer01 napisał: R1 nie jest konieczny, bo impedancja wejściowa tego wzmacniacza jest wysoka, wyznaczona przez R2, który polaryzuje bramkę tranzystora potencjałem masy (zerowe napięcie).
Podobnie R3 nie jest konieczny.
Moim zdaniem te elementy są potrzebne (choć bez nich układ oczywiście będzie działał). Mnie to wygląda na filtr kształtujący charakterystykę przenoszenia wzmacniacza. Układy gitarowe często mają takie "dziwne" rozwiązania, bo z racji wysokiej impedancji wejściowej potrafią łapać różne śmieci z powietrza.
R1 C1 tworzą filtr pasmowo przepustowy. R2 oraz R3 rozciągają szerokość pasma przenoszenia (zmniejszają dobroć) tegoż filtru przy okazji pełniąc rolę obwodu polaryzacji bramki tranzystora.
Ciężko powiedzieć co autor miał na myśli, trzeba byłoby zbudować ten układ i zmierzyć jego charakterystykę częstotliwościową z R1 i R3 oraz bez.
C1, R2 nie pełnią roli żadnego filtru. Częstotliwość graniczna ustalona przez te elementy jest dużo poniżej 1Hz - nie ma to żadnego praktycznego znaczenia.
PiotrPitucha napisał: a udało mi się ubić wejściowy tranzystor bipolarny w pracującym wzmacniaczu i o dziwo klucz wyjściowy CMOS przytykając palec do złącza EURO w tunerze SAT

.
W tym nie ma nic nadzwyczajnego. Po prostu oba urządzenia były na różnych potencjałach co nie jest rzadkością, zwłaszcza gdy w tunerze zastosowano zasilacz impulsowy i przewód zasilający z przewodem ochronnym (co również nie jest rzadkością).
PiotrPitucha napisał: Myślę że katalogowe 1nA Igss to nie jest wystarczający upływ do niwelacji przepięć statycznych i to nie jest duży prąd.
Nie w tym jest rzecz. J-FET to tranzystor złączowy, jest tam najnormalniejsze na świecie złącze PN spolaryzowane zaporowo (w normalnych warunkach pracy). Tak jakbyś do diody spolaryzowanej zaporowo przyłożył ładunek statyczny. Owszem pewnie przy odpowiednio dużej różnicy potencjałów nieodwracalnie się uszkodzi (ulegnie przebiciu), jednakże zdarza się to niezmiernie rzadko. Występuje tutaj przebicie lawinowe, ładunek się rozładowuje i po kłopocie.
Co innego jest w przypadku tranzystorów MOS - tu bramka jest odizolowana od kanału, od strony "wejścia" mamy więc kondensator o niewielkiej pojemności i niewielkim napięciu przebicia (kilkanaście V).
Tego typu tranzystory bardzo łatwo nieodwracalnie uszkodzić nie tylko ładunkami statycznymi właśnie z powodu obecności tam kondensatora, który się ładuje, a gdy naładuje się powyżej napięcia przebicia ulega uszkodzeniu.