Timer 555 - różnice w układach z diodami do sterowania MOSFET w zasilaczu impulsowym

Witam.
Czy ktoś mógłby mi wyjaśnić jaka jest praktyczna różnica między tymi dwoma układami? W obu celem jest regulacja impulsów bramkowych do sterowania tranzystorem MOS w zasilaczu impulsowym. Według autora rozwiązanie z diodami pozwala zwiększyć wydolność prądową docelowego zasilacza.





Jedyne co zauważyłem to to, że w układzie z diodami, przy rozładowywaniu kondensatora, ze źródła zasilania jest pobierany większy prąd (bo płynie do nóżki dis przez rezystor 1k a nie przez potencjometr 1M)

W układzie z diodami gdy rośnie czas ładowania czas rozładowania spada, przez co czestotliwość pozostaje mniej-więcej stała, gdy zmienia sie wypełnienie.

W układzie 2 zmienia sie tylko czas rozładowania, przez co częstotliwość bedzie sie zmieniać, w skrajnym górnym połozeniu suwaka potencjometr może zostać uszkodzony.
Ponieważ za ładowanie odpowiada cała rezystancja potencjometru a za rozładowanie jej część nie da sie uzyskać czasu ładowania krótszego niż czas rozładowania, czyli nie bedzie wypełnienia mniejszego niż 50%

Cytat:

W obu celem jest regulacja impulsów bramkowych do sterowania tranzystorem MOS w zasilaczu impulsowym.

Co to za zasilacz że nie ma stabilizacji?

Cytat:

Według autora rozwiązanie z diodami pozwala zwiększyć wydolność prądową docelowego zasilacza.

Nie znam schematu zasilacza ale trudno mi sobie wyobrazić układ w którym to twierdzenie było by prawdzie, No chyba że pośrednio jako skutek szerszego zakresu regulacji napięcia.

Co do pierwszego pytania to tu jest cały schemat:


Co do drugiego... Cóż, może trochę przesadziłem z tą wydolnością prądową i nie do końca o to chodziło

Dodam jeszcze, że szeregowo z dolną diodą powinien być jeszcze wpięty rezystor 1k.

Jeśli na wyjściu masz MOSFETa P-kanałowego małej mocy to układ ma prawo działać, jeśli to MOSFET dużej mocy to zmniejsz rezystor bramkowy.
Tego układu nie nazywa sie zasilaczem impulsowym, a regulatorem PWM.

P.S. Wpisałeś specjalność "Energoelektronika" powinieneś mieć to w małym palcu.

Dzięki!
Jeszcze zapytam w takim razie... W tym układzie przy większym obciążeniu jest dość znaczny spadek napięcia na złączu D-S (kilkadziesiąt % napięcia zasilania). Czy można go jakoś zmniejszyć? Dużo prościej jakoś mi zastosować tranzystor NPN który przy nasyceniu ma spadek na C-E 0.2V

Cytat:

Jeszcze zapytam w takim razie... W tym układzie przy większym obciążeniu jest dość znaczny spadek napięcia na złączu D-S (kilkadziesiąt % napięcia zasilania).

Pewnie zastosowałeś MOSFETa N- kanałowego

Cytat:

Czy można go jakoś zmniejszyć? Dużo prościej jakoś mi zastosować tranzystor NPN który przy nasyceniu ma spadek na C-E 0.2V

Jako klucz high-side będzie miał ten sam problem tylko napeięcie Ube jest mniejsze od Ugs.