logo elektroda
logo elektroda
X
logo elektroda
REKLAMA
REKLAMA
Adblock/uBlockOrigin/AdGuard mogą powodować znikanie niektórych postów z powodu nowej reguły.

N-MOSFET lub IGBT jest lepszy jako ujemny przełącznik szyny?

fjpompeo 27 Gru 2018 19:07 789 5
REKLAMA
  • #1 17655597
    fjpompeo
    Poziom 11  
    Posty: 29
    Cześć, chcę zainstalować system ochrony za pomocą tranzystora, takiego jak przełącznik w ujemnej szynie mojego zasilania radiowego. Ale zanim będzie trzeba wiedzieć, który jest lepszy, moc N-MOSFET jak IRF3205 lub IGBT jak SKW30N60 lub więcej mocy pełnej.
    Przepraszamy, to jest tłumaczenie GOOGLE z języka portugalskiego.

    Dziękuję bardzo z PU2PLL, Fernando, Brazylia.
  • REKLAMA
  • #2 17655992
    Konto nie istnieje
    Poziom 1  
  • REKLAMA
  • #3 17656750
    krzysiek_krm
    Poziom 40  
    Posty: 4612
    Pomógł: 716
    Ocena: 598
    Kraniec_Internetów napisał:
    Możesz wyjaśnić jak układ miałby działać i czym sterować?

    Chodzi zapewne o rozłączanie zasilania w masie.
    Musisz policzyć sobie co będzie bardziej opłacalne energetycznie. Jeżeli w grę wchodzi niskie napięcie lepiej zastosować tranzystor mosfet, współczesne mosfet-y na niskie napięcia mają bardzo małe rezystancje kanału w stanie załączenia, będziesz miał mały spadek napięcia a w konsekwencji małe straty, może nawet obejdziesz się bez radiatora albo radiator będzie niewielki. Tranzystory IGBT mają realne Vce rzędu 1 V.
  • REKLAMA
  • #4 17661208
    Konto nie istnieje
    Poziom 1  
  • REKLAMA
  • #5 17661229
    Strumien swiadomosci swia
    Poziom 43  
    Posty: 27488
    Pomógł: 1404
    Ocena: 6406
    fjpompeo napisał:
    Cześć, chcę zainstalować system ochrony za pomocą tranzystora, takiego jak przełącznik w ujemnej szynie mojego zasilania radiowego


    Zainstaluj cutt bar na tyrystorze. Układ ma spowodować zwarcie w przypadku nadmiernego wzrostu napięcia.
  • #6 17665105
    krzysiek_krm
    Poziom 40  
    Posty: 4612
    Pomógł: 716
    Ocena: 598
    Kraniec_Internetów napisał:
    Uważam, że ani MOSFET, ani IGBT nie nadaje się do pracy jako zabezpieczenie, gdyż stosunkowo łatwo w awaryjnej sytuacji jak przepiecie, zwarcie (szczególnie gdy na zasilaniu są kondensatory dużej pojemności), ulega uszkodzeniu przez zespawanie kanału zmieniając się w kompletne zwarcie. Co gorsza przebiciu ulega też zwykle bramka co może usmażyć układ drivera.

    Też nie ma co przesadzać. W taki sposób zwykle działają układy zabezpieczające baterie z ogniw Li-Ion: duże prądy, małe rezystancje, duże pojemności, itp.
REKLAMA