Czy MOSFET pracujący równolegle przy przeciążeniu nie ulegnie uszkodzeniu?

Chciałbym pobrać większy niż katalogowy prąd z MOSFET. Coś mi tam w pamięci dzwoni że MOSFET przy przeciążeniu/przegrzaniu zwiększają swoją rezystancję.
Czy dobrze myślę że mogę podłączyć kilka równolegle i w niezbyt wymagającym zadaniu same wyrównają swój średni prąd do mniej więcej tego samego poziomu?
Tzn pomimo dużego prądu żaden się nie spali?

To zależy które typy, w większości jest odwrotnie i należy je dobierać do pracy równoległej i nie zaszkodzi dać małego oporu w źródle aby tą charakterystykę zniwelować.

Jeżeli pracują załącz - wyłącz to można tak zrobić.
Przeczytaj jakiś artykuł typu "mosfet paralleling" i zastosuj się do opisanych zasad łączenia równoległego.

Rds(on) rośnie z temperaturą więc połączenie równoległe MOSFETów pracujących jako klucze jest ok. Gorzej jakbyś chciał uzyskać pracę liniową bo Vgs(th) spada z temperaturą, wiec był by problem, są i na to sposoby ale trzeba używać dodatkowych tranzystorów, bo sama rezystancja w obwodzie źródła nie wystarczy (musiała by być duża i były by na niej straty)

Cytat:

Chciałbym pobrać większy niż katalogowy prąd z MOSFET.

Na równoległym połączeniu kilku można obsłużyć prąd większy niż na jednym, ale przekraczanie katalogowego maksymalnego Id jest pozbawione sensu ekonomicznego, próba zbliżenia się do tego prądu ro recepta na to jak zrobić drogie urządzenie urządzenie o kiepskich parametrach.

grzeskk napisał:

To zależy które typy, w większości jest odwrotnie i należy je dobierać do pracy równoległej i nie zaszkodzi dać małego oporu w źródle aby tą charakterystykę zniwelować.

Pomieszałeś wszystko. Pewnie pisząc niektóre typy masz na myśli dawno nie produkowane Lateral-MOSFET i pracę liniową.

EDIT: Dopiero teraz zauważyłem że to użytkownik strikexp, spodziewam się że zaraz poleci w kosmos z parametrami, będzie chociaż z 1000A? a może 100kA
Przypomnisz nam jaki był ostatni ukończony projekt o kosmicznych parametrach?

Do pracy ciągłej włącz/wyłącz z niskimi częstotliwościami koledzy mają rację: można zrównoleglać.

ALE: konieczny jest dobry layout i jednakowe chłodzenie/temperatura wszystkich MOSFETów. Mam dziesiątki sztuk które poległy podczas budowy generatora na 10 kA...

Aż takich prądów mi nie potrzeba, po prostu jeden duży MOSFET potrzebuje dużego radiatora. I to jest problem konstrukcyjny który najłatwiej obejść rozdzielając źródło ciepła na kilka mniejszych.

@jarek_lnx
Czy Ty kiedyś próbowałeś wypompować kilkadziesiąt watów z tranzystora mocy czy tylko tak gdybasz?

CosteC napisał:

Mam dziesiątki sztuk które poległy podczas budowy generatora na 10 kA...

Co innego połączyć kilka tranzystorów a co innego kilkadziesiąt. Ciekaw jestem jak szybko je przełączałeś.
Załączając pięcioma tranzystorami impulsowo 1kA zobaczyłem jak dużym problemem są indukcyjności pasożytnicze, bo o ile przeładowanie bramki MOSFETa w kilkadziesiąt ns nie stanowi problemu, to już na szybkość narastania prądu w obwodzie będzie miał wpływ każdy jeden nanohenr indukcyjności.

strikexp napisał:

Czy Ty kiedyś próbowałeś wypompować kilkadziesiąt watów z tranzystora mocy czy tylko tak gdybasz?

W zastosowaniach liniowych tak, w zastosowaniach impulsowych projektowałem tak aby nie było kilkudziesięciu watów do wytracenia, jak optymalizujesz Rds(on) to parametr "absolute maximum rating Id" w ogóle ci nie obchodzi. Im bliżej tego "absolute maximum rating Id" tym większe straty mocy i gorsza sprawność urządzenia. Początkujący zaglądając do dokumentacji 10mΩ MOSFETa widzą tranzystor na "100A", ja widzę tranzystor który nie wymaga radiatora przy 7A.
Widziałeś może noty aplikacyjne IR (dzisiaj Infineon), jakiego sprzętu się używa żeby pokazać że tranzystor "100A" wytrzyma 100A?

U mnie to będzie pracować liniowo, stąd pytanie o tak prosty układ.
A przy kilkudziesięciu watach na elemencie to potrzebujesz właściwie radiatora z wentylatorem. A kurz + wentylator to już sobie sam dopowiedz.

strikexp napisał:

U mnie to będzie pracować liniowo, stąd pytanie o tak prosty układ.

To trzeba było tak od razu, przecież pisałem że to zupełnie inny przypadek, w pracy liniowej mamy niestabilność termiczną.

Jakie zakresy prądów i napięć, jak szybko to ma działać?

@jarek_lnx ma niestety rację - MOSFETY w obszarze pracy liniowej są niestabilne, co gorsza potrafią mieć różne znaki współczynników w różnych obszarach charakterystyki. Da się to pokonać ale oznacza to dodatkowe straty mocy i przycięcie zakresu dynamicznego. Chociaż akurat to w wzmacniaczach liniowych jest wtórnym problemem

Generator był/jest totalnie eksperymentalny, bramkę przełączałem sprawnie, gorzej z wyrównywaniem prądów poszczególnych MOSFETów. Layout był jak to ładnie się mówi "suboptymalny". A prądu było dostatecznie dużo aby z TO-263 odpadały dekle albo wypalało dziury w płaskownikach 5 mm... Zabawa super, tylko po każdej klęsce godziny pracy z śrubokrętem.

@strikexp O jakich prądach napięciach my w ogóle rozmawiamy?

Napięcie 36V, prąd 60-80A.
Załączenie raz na jakiś czas, na kilka minut.

Obciążenie ma 0.5 Ohm? i trzeba na nim wydzielić koło 2 kW? Możesz powiedzieć co to? Bo ciekawe to.
Rzeczywiście wymagasz potężnego SOA.

Czysty metal o odpowiednim przekroju.
Czy to zgrzewarka, czy elektromagnes to już musisz się domyślić sam

Obojętnie co to, z tych dwóch, nie widzę sensu pracy liniowej...

strikexp napisał:

Czysty metal o odpowiednim przekroju.
Czy to zgrzewarka, czy elektromagnes to już musisz się domyślić sam

Wystarczyłby pewnie duży IGBT, ale problem go chłodzić jak pisałem. Lepiej dać kilka MOSFET.


Ty nie widzisz, ja widzę. I raczej nie ma sensu się o niczym przekonywać.

Ja cię nie chcę przekonywać, ja bym chciał zrozumieć czemu trzeba tak bardzo skomplikować układ. Przy pracy PWM straty by były akceptowalne dla pojedyńczego MOSFETa. Rzędy wielkości mniejsze niż przy pracy liniowej. Taniej, prościej, lżejsze, bardziej niezawodne.

Ale że impusowo odpalać kolejne MOSFET?

Nie, impulsowo sterować prądem, zgrzewarki czy elektromagnesu. Czasy działania chyba nie są w poniżej ms?

No ale co to mi da w kwestii chłodzenia? Ten sam problem. Ba, podczas ładowania/rozładowania bramki występuje większa rezystancja, więc straty wzrosną.

Czyli cała technika impulsowa jest bez sensu? Albo inaczej rozumiemy "liniowy obszar pracy"