retleh10 napisał: Korzystając z symulacji typu Transient otrzymam wykres przebiegu prądu anodowego (wykres w załączniku), a zmieniając oś x (Time) na oś napięcia na anodzie V(X1:A)
W zasadzie w ten sposób wykonuje się to w laboratorium, chociaż prąd bramki jest wtedy zmienny. Prąd anodowy wyznaczany jest na podstawie spadku napięcia na rezystorze. Próbowałem w LTSpice zrobić to z DC sweep, ale to nie jest takie proste. Najwyraźniej nie ma możliwości zmiany zmiennej niezależnej na wykresie. Charakterystyka statyczna jest właśnie taka. Tzn. w takiej analizie, czyli DC sweep pojemności są rozwierane, zaś indukcyjności zwierane.
retleh10 napisał: dostanę charakterystykę prądowo - napięciową. Jeżeli nie jest to poprawne i nie ma to sensu, to prosiłbym o podpowiedź jak wykonać taką symulację żeby było w porządku.
Coś "dostajesz", ale to nie jest prawidłowe. Przecież nie wstawiałeś dyrektywy PARAM. Stąd masz tylko jedną symulację dla jednego prądu bramki, nie zaś rodzinę charakterystyk. Zwyczajnie z uwagi na stany przejściowe przebiegi z poszczególnych okresów się nie pokrywają ze sobą.
Generalnie rodzina charakterystyk statycznych (anodowych) tyrystora to coś takiego:
Jest to więc zależność Ia=f(Uak) przy Ig=const. Zatem Ig powinno się wymusić źródłem prądu. Ponadto po załączeniu Ig się zmieni w Twoim układzie, bo wzrośnie napięcie Ugk.
Nie możesz też zaznaczać Ig na osi pionowej dla charakterystyk statycznych, anodowych. To parametr. Il to z kolei prąd zatrzaskiwania, czyli minimalny prąd załączenia. Ih, prąd podtrzymania.