Naukowcy z Purdue University (USA) stworzyli tranzystor MOSFET o nowej strukturze, rozszerzającej koncepcję "tranzystorów 3D". Składa się on z trzech nanoprzewodów z arsenku indowo-galowego (InGaAs) i swoją budową przypomina bożonarodzeniową choinkę.
Są to właściwie trzy tranzystory umieszczone jeden na drugim, z 20-nanometrową bramką. Tworzące je nanorurki mają coraz mniejszą długość i stąd analogia do świątecznego drzewka. Jak mówi prof. Peide "Peter" Ye z Purdue, który przewodził pracom nad tym tranzystorem, taka struktura pozwala na uzyskanie większego prądu maksymalnego i dużo szybszej pracy tranzystora.
Poniżej granicy 22 nm wytwarzanie planarnych tranzystorów krzemowych jest niezwykle trudne, natomiast trójwymiarowe konstrukcje z półprzewodników innych niż krzem, takich jak właśnie InGaAs, powinny umożliwić zejście poniżej 10 nm.
Zespół naukowców z Purdue pracował także nad nowym, kompozytowym izolatorem, który zredukuje prąd upływu tranzystora, pozwalając na zmniejszenie jego wymiarów. Ostatecznie dielektryk wykonano z 3,5-nanometrowej warstwy perowskitu LaAlO3 pokrytej półnanometrową warstwą tlenku glinu.
Według prof. Ye, jest to przełomowe osiągnięcie, pokazujące jak będzie wyglądała przyszłość w branży półprzewodników.
Na razie nie zostało przedstawione żadne zdjęcie, czy schemat przedstawiający "choinkowy" tranzystor, lecz zostanie on zaprezentowany na konferencji International Electron Devices Meeting rozpoczynającej się już jutro w San Francisco.
Źródło:
http://www.radio-electronics.com/news/electro...rs-unveil-20nm-christmas-tree-transistor-2384
Fajne? Ranking DIY
