Elektroda.pl
Elektroda.pl
X

Search our partners

Find the latest content on electronic components. Datasheets.com
Elektroda.pl
Please add exception to AdBlock for elektroda.pl.
If you watch the ads, you support portal and users.

Applied Materials kieruje się na EUV i 3D GAA

ghost666 18 Jun 2022 19:33 222 0
Computer Controls
  • Applied Materials kieruje się na EUV i 3D GAA
    Najnowsze portfolio technologii tranzystorowych bramek dookólnych 3D (GAA) firmy Applied Materials i rozwiązań do litografii w skrajnym ultrafiolecie (EUV), zaprojektowane z myślą o ograniczeniach skalowania 2D zgodnego z prawem Moore'a, ma na celu zapewnienie lepszych parametrów procesowych z uwzględnieniem wydajności produkcji, pokrywanej powierzchni, kosztów i czasu do wprowadzenia na rynek. Cały pakiet środków i narzędzi marki znany również jako PPACt jest dedykowany dla producentów chipów pragnących rozszerzyć skalowanie swoich systemów 2D o EUV.

    W ramach projektu realizowanego przez: „EE Times” pod nazwą: „More than Moore”, Nirmalya Maity, wiceprezes ds. zaawansowanych obudów w firmie Applied Materials, wyjaśnił, że zapotrzebowanie na innowacje w branży półprzewodników stale rośnie, zwłaszcza że czas wpuszczania do obiegu nowszych generacji chipów jest coraz wolniejszy, a i koszty zwyżkujące. „Internet rzeczy, duże zbiory danych i sztuczna inteligencja napędzają nową falę wzrostów w branży urządzeń półprzewodnikowych. Jednakże, podczas gdy zapotrzebowanie na innowacje w układach scalonych nigdy nie było większe, klasyczne skalowanie 2D według prawa Moore'a spowalnia. Z każdą kolejną generacją kurczenie się chipów trwa coraz dłużej i kosztuje więcej. Powoduje to potrzebę opracowania nowych paradygmatów projektowania i wytwórstwa, ponieważ producenci układów scalonych i firmy zajmujące się systemami dążą do dalszego wprowadzania ulepszeń” — zakomunikował Maity w ramach omawiania wspomnianego projektu.

    W tym przypadku firma wierzy, że jej najnowsze technologie produkcji tranzystorów 3D GAA i zaawansowane folie do tworzenia masek dla systemów litografii EUV pomogą wypełnić lukę w klasycznym skalowaniu prawa Moore'a.

    Ulepszone folie do tworzenia masek litograficznych dla technologii EUV

    „Stensar Advanced Patterning Film” marki Applied Materials to specjalna folia do tworzenia masek dla EUV, jedno z siedmiu rozwiązań zaprezentowanych pod koniec kwietnia. A umożliwiające producentom chipów modyfikowanie grubości warstwy twardej maski i odporności na jej wytrawianie w celu: „osiągnięcia niemal idealnej jednorodności transferu wzoru EUV na całej powierzchni wafla”. Jest to możliwe dzięki systemowi chemicznego osadzania z fazy gazowej.

    Według zapewnień marki przekazanych w komunikacie prasowym: „Pojawienie się litografii EUV pozwoliło producentom chipów na wytwarzanie mniejszych elementów i zwiększenie gęstości tranzystorów. Jednak branża osiągnęła punkt, w którym dalsze skalowanie za pomocą EUV wprowadza wyzwania wymagające nowego podejścia do depozycji, trawienia i metrologii”.

    Firma podkreśliła również wprowadzenie swojego nowego systemu trawienia Sym3 Y i technologii pomiarowej PROVision eBeam, które mają na celu poprawienie jakości wzorów wytwarzanych w procesie EUV. Sym3 Y składa się z wielu komór o wysokiej przewodności, które mogą wytrawiać i osadzać określone materiały przed wytrawieniem ich na substracie. Może to pomóc złagodzić błędy stochastyczne, co z kolei poprawia zarówno wydajność procesu, jak i moc oraz sprawność energetyczną samego chipa. Marka twierdzi również, że jej rozwiązanie PROVision eBeam umożliwi producentom oglądanie układów scalonych z rozdzielczością nanometrową, dużą szybkością i obrazowaniem przez warstwy. W połączeniu z technologią Elluminator portfolio eBeam może pozwolić na obrazowanie w rozdzielczości 1 nm z prędkością 10 milionów pomiarów na godzinę, dając szansę uchwycić 95% wstecznie rozproszonych elektronów w celu głębszego przyjrzenia się wymiarom chipów i rozmieszczeniu krawędzi obiektów na substracie.

    Ulepszenia tranzystorów 3D GAA

    Firma Applied Materials zaprezentowała również dwie nowe iteracje swojego rozwiązania: „Integrated Materials Solution” (IMS) zaprojektowanego w celu ulepszenia kanałów tranzystorów GAA i stosów bramek metalicznych. Te, jak twierdzi marka, mogą pomóc w osiągnięciu wyższych prądów sterowania oraz w zwiększeniu sprawności tranzystorów. Pierwotnie system IMS przygotowano tak, aby wykorzystywał krytyczne etapy procesu w próżni, by umożliwić wyższy poziom inżynierii i dostrajania interfejsów. Co według Uday Mitry, wiceprezesa ds. inżynierii w Applied Materials, może zapewnić równoważne skalowanie grubości tlenku. Przekłada się to na poprawę w obrębie prądu sterowania w zakresie od 8% do 10%. Najnowsza implementacja technologii IMS rozwiązuje specyficzne komplikacje podczas modyfikowania stosów tlenków bramek. „Głównym wyzwaniem przy produkcji tranzystorów GAA jest to, że przestrzeń między kanałami wynosi tylko około 10 nm. Podczas gdy klienci muszą umieścić wielowarstwowe stosy tlenków bramek i bramek metalicznych wokół wszystkich czterech stron kanałów w niewielkiej dostępnej przestrzeni” — wskazuje przedstawiciel przedsiębiorstwa.

    „Cieńszy tlenek bramki zapewnia wyższy prąd sterowania i większą sprawność tranzystora. Jednak takowy zwykle powoduje wzmocnienie prądu upływu, który marnuje energię i wytwarza ciepło”. Aby złagodzić ten problem Applied Materials zastosowała osadzanie warstw atomowych, etapy termiczne i obróbki plazmowej oraz zaawansowaną metrologię. Wszystko to jest wykonywane w systemie próżniowym w celu wytworzenia cieńszych tlenków bramek tranzystorowych GAA (o 1,5 angstremów), przy jednoczesnym dziesięciokrotnym zmniejszeniu upływu prądu.

    Marka zaprojektowała również system IMS zdolny do dostrajania napięć progowych tranzystorów, aby pomóc aplikacjom obliczeniowym w osiągnięciu określonych założeń w zakresie efektywności na wat, takim jak serwery o wysokiej wydajności.

    Źródło: https://www.eetimes.com/applied-materials-sets-its-sights-on-euv-and-3d-gaa/

    Cool? Ranking DIY
    [28-30.06.2022, targi] PowerUP EXPO 2022 - zasilanie w elektronice. Zarejestruj się za darmo
    About Author
    ghost666
    Translator, editor
    Offline 
    Fizyk z wykształcenia. Po zrobieniu doktoratu i dwóch latach pracy na uczelni, przeszedł do sektora prywatnego, gdzie zajmuje się projektowaniem urządzeń elektronicznych i programowaniem. Od 2003 roku na forum Elektroda.pl, od 2008 roku członek zespołu redakcyjnego.
    ghost666 wrote 11085 posts with rating 9401, helped 157 times. Live in city Warszawa. Been with us since 2003 year.
  • Computer Controls