logo elektroda
logo elektroda
X
logo elektroda
Adblock/uBlockOrigin/AdGuard mogą powodować znikanie niektórych postów z powodu nowej reguły.

MOSFET mi się nie chce otworzyć, jak mu dam 5 V na bramkę, a na drenie ma 12 V

pipkpmpn 16 Lis 2025 19:30 1227 56
Najlepsze odpowiedzi

Dlaczego n-kanałowy MOSFET nie otwiera się poprawnie, gdy mam 5 V na bramce i 12 V na drenie, i jak poprawnie sterować nim z Arduino?

Nie uzyskasz 12 V na źródle n-MOSFET-a przy 5 V na bramce, bo napięcie źródła zawsze będzie niższe od bramki o Vgs, więc przy takim połączeniu dostajesz układ źródłowy, a nie pełne otwarcie tranzystora [#21753586] Jeśli chcesz przełączać 12 V z Arduino, obciążenie włącz w obwód drenu, a źródło daj do wspólnej masy; wtedy Ugs liczysz względem masy i MOSFET może się normalnie włączyć [#21753741][#21753924] Dodatkowo nie patrz na samo Vgs(th), bo to jest tylko próg przy bardzo małym prądzie, a do pełnego otwarcia trzeba sprawdzić w nocie parametry Rds(on) przy 4,5 V lub 5 V [#21753586] Zwykły MOSFET może wymagać około 10 V na bramce, więc przy sterowaniu z Arduino lepiej użyć tranzystora logic-level albo układu z tranzystorem pośredniczącym/driverem, jeśli chcesz sterować większym prądem albo szybciej przełączać [#21753552][#21754389] W threadzie padło też, że dla Twoich RFP40N10 lepszy będzie inny sposób sterowania lub użycie MOSFET-ów logic-level bez tego stopnia pośredniego [#21754279]
Wygenerowane przez model językowy.
  • #1 21753499
    pipkpmpn
    Poziom 5  
    Posty: 37
    Ocena: 5
    Cześć wszystkim tu zgromadzonym.

    Mam plan zrobić "pseudozgrzewarkę punktową" zasilaną z zasilacza (na przykład takiego ATX?) lub jakiegoś innego źródła 12 V= (lub okolic).
    Sterowanie ma być na Arduino przez sygnał wysoki lub niski na cyfrowym porcie (D8).

    W załączniku dałem schemat, co prawda na kartce, ale powinien być jako tako czytelny.

    Problem mam taki, że jakiego MOSFET-a bym nie wstawił w miejsce Q2- to co najwyżej miałem około 3,6 V na źródle, bramka wtedy miała solidne 5 V, a dren 12 V

    Co aktualnie mam ze schematu polutowane:
    Pro Mini na ATmega328P - z zasilaniem, OLED-em i wyprowadzeniami do guzików. Ten D8, na którym idzie sygnał na bramkę Q2 (MOSFET-a sterującego)
    IC1 - stabilizator 7805
    R8 (12 V do MOSFET-a "sterującego" na dren) 100 Ω
    R6 - 22 Ω
    R7, R5 - nie ma, wylutowałem; brak zmian, problem ten sam został
    R2 (bo tylko testowo wlutowałem jeden MOSFET - Q5) - 22 Ω
    S1-S4 - zwykłe mikrowłączniki
    R10,R11 - OLED działa bez nich akurat (to nie jest akurat temat mojego problemu)

    Jak wylutowałem MOSFET Q5 (reszty nigdy nie było, jeden tylko tam był), to dalej na źródle miałem co najwyżej 3,6 V, na drenie miałem solidne 12 V, a na bramce solidne 5 V.
    Co testowałem:
    RFP40N10
    Si4186DY
    IPD040N03L
    2N7000
    76129S
    i jeszcze jakiś podobny.

    Żaden z nich mi się nie "otworzył" do końca, zamiast 12 V na źródle było niecałe 4 V.

    Macie jakieś pomysły, co robię źle?
    Z góry mówię, że zdaję sobie sprawę, że to nie jest zrobione zgodnie ze sztuką i tak dalej, w tym momencie chcę tylko uzyskać 12 V na źródle Q2.

    Dzięki z góry za wszelkie sugestie i uwagi.

    Schemat elektryczny z mikrokontrolerem, przyciskami i tranzystorami MOSFET IRF540
  • #2 21753514
    gry6h54
    Poziom 18  
    Posty: 233
    Pomógł: 25
    Ocena: 36
    Blad przy sterowaniu. Zastosuj opcje jak w zasilaczach komputerowych (dwa tranzystory polaczone emiterami).
  • #3 21753526
    pipkpmpn
    Poziom 5  
    Posty: 37
    Ocena: 5
    >>21753514

    No tak, wypróbowałem na płytce stykowej podobny patent (schemat masz na dole): przy zasilaniu na bazie 5 V i na nie-bazie 12 V, przy puszczeniu 5 V na bazę uzyskałem co najwyżej 4,86 V

    Masz na zdjęciu niżej.

    A jest jakaś opcja, to na MOSFET-cie zrobić? Czy muszę na bipolarny przesiąść się?

    Fragment schematu z dwoma tranzystorami i rezystorami w obwodach bazowych i kolektorowych
    Fragment schematu z dwoma tranzystorami 2N2907 i 2N2222 w układzie przełączającym
  • #4 21753534
    gry6h54
    Poziom 18  
    Posty: 233
    Pomógł: 25
    Ocena: 36
    Arduino przy PWM ma napięcie 2,5 V. Zależy, jak ustawisz wypełnienie. Czy masz MOSFET, co otwiera się od minimum 2,5 V? Dlatego musi być takie sterowanie.
  • #6 21753557
    pipkpmpn
    Poziom 5  
    Posty: 37
    Ocena: 5
    >>21753534

    Testowałem Si4186DY. Według specyfikacji (o ile dobrze patrzę) jego progowe napięcie bramka-źródło wynosi 1,2 V minimum, a 2,4 V maksimum.

    >>21753552

    Jak przeczytasz mój temat, to testowałem różne MOSFET-y, nawet te, które wymagają dużo mniej niż 10 V, by się otwarły.

    Albo ja źle czytam specyfikację tych MOSFET-ów.
  • #7 21753570
    gry6h54
    Poziom 18  
    Posty: 233
    Pomógł: 25
    Ocena: 36
    @pipkpmpn Si4186DY od 4,5V masz prawie pelne otwarcie, 10V standardowo
  • #8 21753572
    pipkpmpn
    Poziom 5  
    Posty: 37
    Ocena: 5
    >>21753570
    To wciąż powinno mi się całkowicie otworzyć, bo mam to na D8 na Arduino, a tam nie ma żadnego PWM, tylko zwykłe cyfrowe wyjście i 5 V na bramce było łatwo uzyskać w moim przypadku.
  • #9 21753586
    jony
    Specjalista elektronik
    Posty: 7541
    Pomógł: 1821
    Ocena: 881
    pipkpmpn napisał:
    według specyfikacji (o ile dobrze patrzę) to jego napięcie progowe bramka-źródło wynosi 1,2 V minimum, a 2,4 V maksimum

    To jest napięcie otwarcia (Vgs(th)) i wtedy płynie mały prąd drenu (250 μA).
    A ty potrzebujesz patrzeć na Vgs, które producent podaje przy Rds(on) - wtedy gdy MOSFET jest w pełni otwarty.

    Ale twój problem jest inny. On wynika z tego, że chcesz na źródle uzyskać 12 V, gdy na bramce jest 5 V.
    A to jest fizycznie nie możliwe. Bo napięcie na źródle zawsze będzie o Vgs mniejsze niż napięcie na bramce.
    I dlatego takie wyniki uzyskujesz z pomiarów Vs = Vzas - Vgs = 5 V - 2 V = 3 V.

    Trzeba zmienić obwód sterowania.
  • #10 21753588
    pipkpmpn
    Poziom 5  
    Posty: 37
    Ocena: 5
    >>21753586

    To w takim razie co proponujesz? Jak mogę w najprostszy sposób z pomocą Arduino sterować resztą MOSFET-ów?

    Przekaźnik półprzewodnikowy może być?
  • #11 21753601
    jony
    Specjalista elektronik
    Posty: 7541
    Pomógł: 1821
    Ocena: 881
    pipkpmpn napisał:
    Przekaźnik półprzewodnikowy może być?

    Jaki masz?

    A te pozostałe MOSFET-ty jakiego typu są?

    pipkpmpn napisał:
    Jak mogę w najprostszy sposób z pomocą Arduino sterować resztą MOSFET-ów?

    Coś jak tu na pierwszym schemacie: https://www.circuitden.com/blog/11

    Schemat z tranzystorem MOSFET typu N, sterowanym przez kaskadę tranzystorów bipolarnych
  • #12 21753613
    pipkpmpn
    Poziom 5  
    Posty: 37
    Ocena: 5
    jony napisał:
    Jaki masz?


    A to ja bym go dopiero kupił w razie czego.

    jony napisał:
    A te pozostałe MOSFET-y jakiego typu są?


    RFP40N10 - mam ich garść z wylutu.

    jony napisał:
    Coś jak tu na pierwszym schemacie

    Nic prostszego nie ma? Jak nie, to w wolnej chwili wypróbuję ten patent.

    Dziękuję za informację.
  • #13 21753629
    jony
    Specjalista elektronik
    Posty: 7541
    Pomógł: 1821
    Ocena: 881
    A jakiś tranzystor NPN masz?

    Bo tak na szybko do testów to podłącz Si4186DY tak:
    Bramkę do +5 V.
    Źródło do D8 na Arduino.
    Dren przez rezystor 1 kΩ do +12 V i z drenu do tych RFP40N10.

    pipkpmpn napisał:
    Jak nie, to w wolnej chwili wypróbuję ten patent.

    I tym patentem już możesz bezpośrednio sterować tymi RFP40N10 bez tego Q2.
  • #14 21753636
    pipkpmpn
    Poziom 5  
    Posty: 37
    Ocena: 5
    jony napisał:
    A jakiś tranzystor NPN masz?


    Znajdzie się.
  • #15 21753741
    gklub
    Poziom 34  
    Posty: 1706
    Pomógł: 292
    Ocena: 729
    Właściwie zostało wyjaśnione, zanim napisałem, ale skoro już - może się przyda.
    Obciążenie powinno być włączone w obwód drenu.
    Jeżeli włączysz szeregowo ze źródłem, to podniesienie napięcia bramki odpowiednio zwiększy prąd tranzystora.
    Wtedy wzrośnie spadek na obciążeniu i napięcie źródła wzrośnie.
    Znowu do wartości o napięcie odcięcia niższego od napięcia bramki:
    Schemat z dwoma tranzystorami IRFH5250 oraz wykres napięć na punktach A, B i C
    V(vdd,b) - spadek na obciążeniu w drenie, V(c) - spadek na obciążeniu w źródle.
    To jedno.
    Teraz sterowanie MOSFET-ów - powinny być włączane całkowicie. To wymaga odpowiednio dużego napięcia bramek czasem kilkakrotnie większego od napięcia odcięcia. Katalogi zwykle podają rezystancję dla 10 V.
    U Ciebie Ugsth RFP40N10 może mieć 4 V - 5 V i nie włączy go dobrze. I ich rezystancja po włączeniu też licha.
    Si już dużo lepiej, ale on ma małą moc strat - pytanie, czy wytrzyma.
    I po drugie - włączać i wyłączać trzeba szybko. To wymaga dużego prądu bramki tak, aby szybko przeładować jej pojemność zarówno przy włączaniu i wyłączaniu. Jeżeli przy dużym prądzie nie zrobisz tego szybko - odparują.
    Schemat z tranzystorem IRFH5300 i przebiegami napięć, prądów oraz mocy
    Dlatego proponuję układy sterowania MOSFET-ów, czyli układy specjalizowane do tego celu, np. https://www.tme.eu/pl/details/tc1411cpa/drivery-mosfet-igbt/microchip-technology/
  • #16 21753924
    LEDówki
    Poziom 43  
    Posty: 9447
    Pomógł: 1310
    Ocena: 2546
    Kolego, jak napisali poprzednicy - obciążenie tranzystora N-MOSFET włączasz pomiędzy dren a zasilanie. Wtedy Ugs (napięcie bramka - źródło) będzie zależało od napięcia z kontrolera, bo źródło będzie na masie wspólnej z masą kontrolera. Dołożenie tranzystorów bipolarnych spowoduje lepsze przełączanie tranzystora MOSFET i mniejsze straty w czasie przełączania. Przy pojedynczych impulsach co jakiś czas nie ma to znaczenia, ale przy regulacji PWM z dużą częstotliwością będą się pojawiać straty właśnie w czasie przełączania.
    Tranzystor dobierz sobie taki Logic Level (LL), on się całkowicie otworzy przy 5 V, a czasem nawet przy niższym napięciu. Zwykłe MOSFET wymagają 10 V Ugs, żeby się w pełni otworzyć. Popełniłeś błąd, który popełnia wielu początkujących, więc warto opisywać jak z tego wybrnąć, bo może będzie mniej pytań na taki temat.
  • #17 21753993
    pipkpmpn
    Poziom 5  
    Posty: 37
    Ocena: 5
    >>21753601 Schemat układu z tranzystorami Q1, Q2, Q3 i MOSFET-em M1 sterowany z MCU przez rezystor i kondensator.

    Schemat, który podałeś i na stronie, koniec końców po Twoich poprawkach się różni.
    Dlaczego tak?
    To 5 V, jak idzie na bazę do Q1, to mi nie spali wejścia na Arduino?
    Tamten na stronie jest gorszy czy lepszy?
    Bo w sumie u mnie to będą pojedyncze impulsy rzędu ok. 50–100 ms albo nawet i krócej

    Dodano po 1 [minuty]:

    LEDówki napisał:
    Tranzystor dobierz sobie taki Logic Level (LL), on się całkowicie otworzy przy 5 V, a czasem nawet przy niższym napięciu.


    Możesz mi podać przykład takiego tranzystora? Gdzie mogę ich szukać? Po jakich parametrach mogę je filtrować?

    Dzięki z góry za odpowiedzi.
  • #18 21754012
    LEDówki
    Poziom 43  
    Posty: 9447
    Pomógł: 1310
    Ocena: 2546
    Ugs 5 V, szukaj w katalogu TME Link. Czasem w opisach aukcji czy w ofercie sklepów internetowych pojawia się dopisek logic level lub LL.
    Nie wiem, jaki prąd płynie w obwodzie. Napięcie to pewnie 12 V?
  • #19 21754125
    pipkpmpn
    Poziom 5  
    Posty: 37
    Ocena: 5
    >>21754012
    Tak jest. 12 V lub wartości mu bardzo bliskiej.

    Dodano po 23 [minuty]:

    >>21754012
    Zaraz, czyli jak wezmę ten MOSFET z tym logic-level i jak będę miał 12 V na drenie i 5 V (lub bardzo blisko 5 V) na bramce, to na źródle mi się pojawi 12 V, czy to byłoby za łatwe?
  • #20 21754211
    LEDówki
    Poziom 43  
    Posty: 9447
    Pomógł: 1310
    Ocena: 2546
    Tranzystor przyłączy dren do źródła. Jeżeli dren będzie podłączony do zasilania, to zrobisz zwarcie. Do drenu obciążenie, do obciążenia plus zasilania. Po włączeniu tranzystor przyłączy do obciążenia minus zasilania.
  • #21 21754253
    zarys2
    Poziom 9  
    Posty: 9
    Pomógł: 2
    Ocena: 8
    Proponuję zastosować sterowanie według załączonego schematu. Rezystory R6 i R2x należy dobrać tak, aby nie dopuścić do nasycenia tranzystorów T1 i T2 (przy nasyceniu tranzystorów wydłuża się czas przełączania), co w praktyce oznacza napięcie pomiędzy emiterem a kolektorem około 1 V. Pozwoli to na uzyskanie napięcia około 11 V na rezystorze R5, czyli wystarczającego do pełnego otwarcia tranzystorów IRF540.
    Załączniki:
    • Rysunek1.pdf (278.15 KB) Musisz być zalogowany, aby pobrać ten załącznik.
  • #22 21754279
    jony
    Specjalista elektronik
    Posty: 7541
    Pomógł: 1821
    Ocena: 881
    pipkpmpn napisał:
    Zaraz, czyli jak wezmę ten MOSFET z tym logic-level i jak będę miał 12 V na drenie i 5 V (lub bardzo blisko 5 V) na bramce, to na źródle mi się pojawi 12 V, czy to byłoby za łatwe?

    Nie, koledze chodzi oto , że jak zamiast tych sześciu RFP40N10 zastosujesz np. IPD040N03L albo IRLZ44N.
    To nie potrzebujesz Q2.Tylko sterujesz tymi sześcioma bezpośrednio z wyjścia Arduino.

    pipkpmpn napisał:
    Schemat, który podałeś i na stronie, koniec końców po twoich poprawkach się różni.Dlaczego tak?To 5 V, jak idzie na bazę do Q1, to mi nie spali wejścia na Arduino?Tamten na stronie jest gorszy czy lepszy?Bo w sumie u mnie to będą pojedyncze impulsy rzędu ok. 50–100 ms, albo nawet i krócej

    Zmieniłem schemat bo chciałem aby logika działania była taka sama. Czyli stan wysoki załącza te 6 MOSFETów.
    I właśnie w miejsce M1 podłączasz te sześć MOSFETów + te twoje rezystory bramkowe 22R które pominąłem na schamacie.
  • #23 21754389
    _jta_
    Specjalista elektronik
    Posty: 48887
    Pomógł: 3200
    Ocena: 4199
    Są jeszcze elementy ProFET - sterowane poziomami TTL, włączają np. 12 V od strony '+'. Ma to np. Farnell.

    Jak chcesz coś składać, to pomyśl, czy potrzebujesz zrobić szybkie włączanie bądź wyłączanie. Jeśli może być powoli, to można zastosować translator poziomów sygnału bądź transoptor; jeśli ma być np. szybkie wyłączanie, to potrzebny jest duży prąd do rozładowania pojemności bramki - są specjalne układy sterowania do MOSFET-ów, które dają potrzebny prąd - to już mają np. w TME.
  • #24 21754925
    jarek_lnx
    Poziom 43  
    Posty: 22591
    Pomógł: 4172
    Ocena: 6046
    pipkpmpn napisał:
    Mam plan zrobić "pseudo-zgrzewarkę punktową" zasilaną z zasilacza (na przykład takiego ATX?) lub jakiegoś innego źródła DC na 12 V (lub okolic)
    Co chciał byś uzyskać? Robiłem próby z MOSFETami i baterią kondensatorów 220mF (to była za mała pojemność) Żeby cokolwiek zgrzać potrzebne są kA prądu, nie jest łatwo opanować przepięcia przy takim prądzie. MOSFETy raczej tylko takie poniżej 1mOm.
  • #25 21754983
    _jta_
    Specjalista elektronik
    Posty: 48887
    Pomógł: 3200
    Ocena: 4199
    Jeśli połączenia mają indukcyjność 0,1 µH (to jest raczej sensowne dla może 20 cm przewodu dwużyłowego), to przy napięciu 12 V czas narastania prądu do 3 kA będzie ze 25 µs - nie jest to duży czas, wypadałoby dać z parędziesiąt mA na bramkę każdego MOSFET-a (jeśli to jakiś duży), żeby to nie włączanie MOSFET-ów opóźniało narastanie prądu - sensowne jest użycie tranzystora PNP przełączającego o średniej mocy do włączania tego prądu i dopiero bazę tego tranzystora (emiter podłączony do +12 V) sterować z uC poprzez translator poziomów albo i tranzystor NPN. Natomiast wyłączanie, gdy już kondensatory są rozładowane, nie musi być szybkie - można rozładowywać bramki małym prądem.
  • #26 21755325
    pikarel
    Poziom 39  
    Posty: 4985
    Pomógł: 409
    Ocena: 1827
    Przy stosowaniu zasilacza 12 V do zgrzewania ładunkiem zgromadzonym w kondensatorach nie ma sensu stosować klucza załączającego zgrzewanie, blaszki łączące ogniwa zgrzewa się, dociskając elektrody do czasu rozładowania kondensatorów, a klucz potrzebny jest do odłączenia zasilacza na czas zgrzewania, aby go nie przeciążać zwarciem.
    Prąd zgrzewania dobiera się doborem pojemności i napięcia na ich zaciskach.

    Dodam jeszcze, że taki sposób nadaje się wyłącznie do małych i płytkich zgrzewów, do profesjonalnego zgrzewania stosuje się transformatory zintegrowane z zaciskami elektrod zgrzewających.
  • #27 21755447
    _jta_
    Specjalista elektronik
    Posty: 48887
    Pomógł: 3200
    Ocena: 4199
    pikarel napisał:
    blaszki łączące ogniwa zgrzewa się, dociskając elektrody

    Na pewno? Z tego, co widziałem, to potrafi wypalić niezłą dziurę w nawet niezbyt cienkiej blaszce.

    pikarel napisał:
    Prąd zgrzewania dobiera się doborem pojemności i napięcia na ich zaciskach.

    Może raczej energię: E = (1/2)*C*U².
  • #28 21755539
    pipkpmpn
    Poziom 5  
    Posty: 37
    Ocena: 5
    >>21754925

    Z pomocą przyszłego dynksu chciałbym, bez użycia lutownicy, śrub, kleju, gwoździ lub spinaczy, połączyć 2 cienkie blaszki (prawdopodobnie niklowe w 95%), które nie odpadłyby od patrzenia, choć wytrzymałości nie wymagam jakoś bardzo.
  • #29 21756132
    pikarel
    Poziom 39  
    Posty: 4985
    Pomógł: 409
    Ocena: 1827
    _jta_ napisał:
    pikarel napisał:
    Prąd zgrzewania dobiera się doborem pojemności i napięcia na ich zaciskach.

    Może raczej energię: E = (1/2)*C*U².

    Raczej?
    E jest nawet bez dołączenia czegokolwiek.
    Czego więc w tym wzorze szuka napięcie i to w "kwadracie?
    No, czego?
    Prąd będzie zależał od elektrod, materiału zgrzewanego, przewodów łączących i przede wszystkim od napięcia na kondensatorach.

    Ty przysr*wać musisz, inaczej się udusisz...


    Moderowany przez ArturAVS:

    3.1.9. Rozpowszechnianie treści ironizujących, prześmiewczych lub złośliwych, stanowiących przejaw braku szacunku do innych Użytkowników lub osób trzecich.

  • #30 21756203
    Andrzej42
    Poziom 32  
    Posty: 1534
    Pomógł: 177
    Ocena: 321
    pikarel napisał:
    Prąd zgrzewania dobiera się doborem pojemności i napięcia na ich zaciskach.
    Prąd razy napięcie i razy czas to energia.
    Prąd to napięcie przez rezystancję

    pikarel napisał:
    E jest nawet bez dołączenia czegokolwiek.
    Czego więc w tym wzorze szuka napięcie i to w kwadracie?

    Energia to tak jak we wzorze - a potrzeba jej tyle, aby rozgrzać styk obu blaszek ponad temperaturę topnienia metalu, aby mogły się zgrzać. Ilość jej (energii) zależy od powierzchni styku (ilość metalu do podgrzania) oraz czasu (im dłuższy czas grzania, tym więcej metalu się podgrzeje).
    A że większość amatorów nie bardzo wie, o co chodzi, więc robią na pałę - eksperymentalnie. Dają więc (powiedzmy) 10 kondensatorów i próbują. "O, nie wyszło" i dają więcej kondensatorów.
    A gdyby znali wzór na energię, gdzie U jest w kwadracie, to wystarczyłoby podnieść nieco napięcie naładowania ...
    Także: prąd zgrzewania jest jakby wynikiem napięcia zasilania przez całkowitą rezystancję obwodu. A razy czas zgrzewania daje nam całkowitą energię.

    pikarel napisał:
    Ty przysr*wać musisz, inaczej się udusisz...
    Proponuję odszczekać, bo wyjdziesz na pieniacza.
    P.S. Bez odbioru.

Podsumowanie tematu

✨ Dyskusja dotyczy problemu sterowania MOSFET-em w projekcie "pseudo-zgrzewarki punktowej" zasilanej napięciem około 12 V i sterowanej sygnałem 5 V z Arduino Pro Mini. Głównym problemem jest brak pełnego otwarcia tranzystora MOSFET przy 5 V na bramce i 12 V na drenie, co wynika z fizycznej zasady, że napięcie na źródle nie może przekroczyć napięcia bramki minus napięcie progowe (Vgs). Wskazano, że standardowe MOSFET-y wymagają około 10 V na bramce do pełnego otwarcia, natomiast MOSFET-y typu logic level (LL) otwierają się przy 4,5–5 V. Zalecane jest stosowanie MOSFET-ów logic level, np. IRLZ44N, IPD040N03L, które można sterować bezpośrednio z Arduino. Problem sterowania można rozwiązać przez odpowiednie włączenie obciążenia między dren a zasilanie, a źródło podłączyć do masy, co zapewnia właściwe napięcie Vgs. Wskazano także na konieczność szybkiego przełączania i odpowiedniego prądu bramki, co może wymagać zastosowania driverów MOSFET lub tranzystorów bipolarnych (np. układ z tranzystorami NPN i PNP). Dyskutowano również o doborze tranzystorów mocy, ich parametrach prądowych i ładunku bramki, co wpływa na szybkość i efektywność przełączania. W kontekście zgrzewania podkreślono, że do uzyskania odpowiedniego efektu potrzebne są bardzo duże prądy impulsowe (rzędu kiloamperów), a zasilacz ATX może nie dostarczyć wystarczającego prądu bez przeciążenia. Zwrócono uwagę na konieczność stosowania kondensatorów o dużej pojemności i niskim ESR do magazynowania energii oraz na minimalizację indukcyjności i rezystancji połączeń. Autor testował różne schematy i elementy, m.in. Si4186DY i RFP40N10, oraz układy z tranzystorami 2N2222, osiągając częściowe sukcesy w sterowaniu, ale napotkał problemy z uszkodzeniami MOSFET-ów i brakiem efektu zgrzewania. Wskazano, że czas impulsu zgrzewania rzędu 50 ms może być zbyt długi, a ścieżki na płytce muszą mieć odpowiedni przekrój, by przenieść duże prądy. Poruszono też temat materiałów do zgrzewania (niklowane blaszki, aluminium) i ich właściwości. Podsumowując, do poprawnego działania potrzebne jest zastosowanie MOSFET-ów logic level, odpowiedniego układu sterowania (np. z tranzystorami bipolarnymi lub driverami MOSFET), właściwe rozmieszczenie elementów i ścieżek, a także odpowiednie źródło energii i parametry impulsu zgrzewania.
Wygenerowane przez model językowy.
REKLAMA