pytanie jak wyzej czyli chodzi o to , cy
paromegabajtowa pamiec typu flash zauzmy f160b3tc intela w bga
po dosc solidnym udarze (telefon zderzyl sie z betonem z duza predkoscia)
moze ulec uszkodzeniu , ale w taki sposob, ze kilka bajtow z matrycy ulega przeprogramowaniu, lub calkowitemu uszkodzeniu
obudowa(ukladu) oczywiscie jest na tyle lekka, ze nie ulega uszkodzeniu, telefon wlacza sie normalnie, czyli wszystkie polaczenia wyprowadzen sa ok
pytanie oczywiscie nie wziete z powietrza, nie jeden telefon po upadku przychodzi z bledami w romie
czy to jest mozliwe, czy poprostu w momencie udaru telefon pracowal i "niestykajace" w momencie udaru polaczenia miedzy pamiecia a procesorem wywolaly bleedne zaprogramowanie pamieci??
to drugie raczej malo realne wiec pytam jeszcze raz czy to mozliwe ze wplyw uderzenia poprzestawial pamiatce w glowce ??
(pewnie i tak nikt nic nie napisze konkretnego ...)
paromegabajtowa pamiec typu flash zauzmy f160b3tc intela w bga
po dosc solidnym udarze (telefon zderzyl sie z betonem z duza predkoscia)
moze ulec uszkodzeniu , ale w taki sposob, ze kilka bajtow z matrycy ulega przeprogramowaniu, lub calkowitemu uszkodzeniu
obudowa(ukladu) oczywiscie jest na tyle lekka, ze nie ulega uszkodzeniu, telefon wlacza sie normalnie, czyli wszystkie polaczenia wyprowadzen sa ok
pytanie oczywiscie nie wziete z powietrza, nie jeden telefon po upadku przychodzi z bledami w romie
czy to jest mozliwe, czy poprostu w momencie udaru telefon pracowal i "niestykajace" w momencie udaru polaczenia miedzy pamiecia a procesorem wywolaly bleedne zaprogramowanie pamieci??
to drugie raczej malo realne wiec pytam jeszcze raz czy to mozliwe ze wplyw uderzenia poprzestawial pamiatce w glowce ??
(pewnie i tak nikt nic nie napisze konkretnego ...)