Przegrzewanie się dodatkowej pary Mosfetów we wzmacniaczu 250 - przyczyny?

✨ Dyskusja dotyczy problemu przegrzewania się dodatkowej pary tranzystorów MOSFET w wzmacniaczu o mocy 250W, wykonanego według własnego projektu płytki i schematu. Problem objawia się silnym nagrzewaniem się jednej pary MOSFET-ów, szczególnie tej bliżej punktów zasilania, co prowadziło do ich uszkodzenia. W stanie spoczynku wszystkie tranzystory zachowują się podobnie, natomiast podczas pracy różnice w nagrzewaniu są wyraźne. Próby zamiany miejsc tranzystorów nie eliminowały problemu, co sugeruje możliwe błędy w projekcie płytki lub nierównomierne parametry tranzystorów. Wskazano, że rezystory o wartości 0,24 Ω powinny być umieszczone na źródłach MOSFET-ów, a nie na drenach, co wpływa na stabilność prądu i rozkład obciążenia. Różnice w napięciach progowych (Vgs) tranzystorów powodują, że jeden z nich przewodzi mocniej, co prowadzi do wzrostu temperatury i dalszego pogorszenia sytuacji. Dyskutowano także o dodatnim współczynniku temperaturowym MOSFET-ów w zakresie niskich prądów, co sprzyja efektowi termicznego sprzężenia zwrotnego. Wzmacniacz zasilany był napięciem ±50V, testowano również zasilanie ±30V. Wskazano, że schemat zawiera błędy konstrukcyjne, w tym nieprawidłowe rozmieszczenie rezystorów i dodatnie sprzężenie zwrotne, co może dyskwalifikować układ. W dyskusji pojawiły się porównania do innych wzmacniaczy na MOSFET-ach, m.in. Holton 400W, oraz uwagi o jakości dźwięku i parametrach technicznych wzmacniacza. Ostatecznie zalecane jest parowanie tranzystorów, poprawne umieszczenie rezystorów w źródłach oraz weryfikacja projektu płytki i schematu, aby uniknąć przegrzewania i uszkodzeń MOSFET-ów.
Wygenerowane przez model językowy.