Wzmacniacz 1000W MOSFET całkiem symetryczny - nowy projekt.

Witam
Spodobały mi się konstrukcję dużych wzmacniaczy o nieprzeciętnym brzmieniu i parametrach. Chciałbym skonstruować podobny ale nie lubię kopiować układów więc trochę powybierałem z różnych konstrukcji po kawałku a teraz potrzebuję dobrych rad co takiego jest w tym schemacie źle a co można by zmienić. Gdy prototyp będzie dziłać zaprojektuję płytkę dwuwarstwową i postaram się udostępnić za grosze (kupię elementy w hurcie). Będe potrzebował pomocy przy odsłuchu, czy wzmacniacz nadaje się do powielenia. Oczywiście będą zrobione zabezpieczenia, jak tylko prototyp zacznie gotować wodę w garnku . Z moich wyliczeń można uzyskać 1kW przy 90V na 4 omy a w mostku 2kW na 8 om. Być może nie uzyskam tyle ale nawet z połowy byłbym zadowolony.
Czekam na rady od fachowców i z góry dziękuję za pomoc.

Witam
Co jest z tymi opornikami? Jak na 1000W z amatorskiej końcówki to za mało tranzystorów mocy.
Pozdrawiam

Tranzystorów można zawsze trochę dorzucić. Zapomniałem na wstępie napisać że wszystkie oporniki to SMD 1206. 20 sztuk na tranzystor nie zjmnie dużo miejsca a i cena jest dużo niższa, są bezindukcyjne, metalizowane i 1%. Według mnie wiele zalet i tylko jedna wada - trochę potrwa przylutować je wszystkie. Dla jasności dodam że stopnie sterujące są zasilane o 10V więcej a dodatkowe tranzystory wysokonapięciowe umożliwiają zasilać napięciem +/- 100V i odciążają tranzystory które nie powinny się za bardzo grzać.
IRFP240/9240 maja 150W, maksymalna temperatura struktury 150 stopni i rezystancje termiczną 1,2 stopnia. Dokładnie nie wiem jaka będzie moc strat więc obliczyłem dla 500w strat. Rezystancja termiczna 1,2 + 0,5 podkładka i 25W strat na tranzystor. Temperatura otoczenia 40 stopni + 42 stopnie na strukturze = 82. 150-82=68 tyle może być cieplejszy radiator od otoczenia ale miałby wtedy 40+68=108 i można na nim jajka smażyć. Tranzystory powinny być sparowane idealnie. Myślę że przy takich mocach trzeba dać wentylatorki na radiator z termostatem i zabezpieczenie termiczne na temperaturę wg uznania.

Może się mylę, ale.... (pomińmy błąd oznaczenia polaryzacji głównych kondensatorów)
Wydaje mi się, że pozostawienie sterowania bramek MOSFETów bezpośrednio ze stopnia różnicowego nie jest ciekawym rozwiązaniem.
Dlaczego? Otóż aby zapewnić prawidłowe działanie wszystkich stopni wzmacniacza, musimy we wszystkich założeniach przyjąć, że żaden ze stopni nie wejdzie w nasycenie. A więc: końcowy stopień różnicowy sterujący bezpośrednio bramkami pracuje z prądem około 35-50 mA na każdym z tranzystorów pary. Tak mi przynajmniej wychodzi z analizy napięć i prądów wcześniejszych stopni (mam nadzieję, że się nie pomyliłem). Tak więc, aby nie wejść w nasycenie dysponujemy prądem maksymalnie ok. 70-100mA do przeładowania pojemności bramkowych.
Przeładowywane są pojemności wszystkich MOSFETów, więc co najmniej 10 sztuk. Typowe pojemności (przyznaję, że nie sprawdzałem, jak to sie ma do zastosowanych tutaj tranzystorów - ale chcę pokazać tylko zagrożenie, a nie dokładnie wyliczać) bramek są rzędu ok. 1,5 nF.
A więc: 10 x pojemność bramki = 15nF. Przeładowanie prądem rzędu max! 100mA o napięcie 100V (aby łatwiej było liczyć) to czas około 15 mikrosekund. Aby powstał przebieg okresowy, muszą być co najmniej 2 takie czasy - w sumie mamy przebieg trójkątny o maksymalnej częstotliwości około 30kHz. NIESTETY nie odpowiada to takiej samej częstotliwości sinusoidalnej. A więc szacowana górna częstotliwość wyniesie około 2-3 razy mniej (tzn. około 15kHz!!!!).
Dlatego właśnie nie powinno się sterować tak dużych pojemności bramkowych bezpośrednio z różnicowego stopnia prądowego. Należałoby zastosować co najmniej jeden stopień wtórników napięciowych, aby ODSEPAROWAC duże pojemności bramek MOSFETÓW do różnicowego - prądowego stopnia. Nawet, jeżeli to miałby być stopień zbudowany z takich samych tranzystorów, jak wyjściowe - ale sterowane byłyby zaledwie dwa, a nie dziesięć! Dodatkowo sterujący stopień wtórników ma dużą CHWILOWĄ wydajność prądową do sterowania pojemności bramkowych - więc można ciągnąć częstotliwość graniczną w górę.
To tylko tyle. I wcale nie proszę ,aby się ze mną zgadzać. Po prostu chciałem pokazać ew. potencjalne zagrożenie w drodze do uzyskania jakości...
Pozdrawiam.

Też się zastanawiam czy tak mały prąd wystarczy, ale na forum jest wzmacniacz 400W o podobnym sterowaniu i jeszcze mniejszym prądzie przeładowania bramek. Jednak konstruktorzy są z niego zadowoleni. Ten temat najbardziej mnie interesuje, jak tak małym prądem można sterować wiele mosfetów wyjściowych. Być może nie zmienia ten prąd napięcia na bramkach o 100V, tylko o 1V. Pojemność bramek ma prawie cały czas te same napięcie, i zmiana go powoduje natycmiastowe nadążanie wyjścia za nim. Stopnie sterujące muszą tylko przesuwać potencjał kondesatora zrobionego z bramek. Być może muszą przeładować o wiele mniejszą pojemność dren-bramka ale może to powoduje ładne brzmienie wzmacniacza. Jeśli okaże się że wzmacniacz ma małą szybkość narastania napięcia to przebuduję stopień sterujący, ale narazie chcę się przekonać jak on w tej konfiguracji będzie grać.

Przychylam się do uwag Witgol ponieważ wzrost mocy tu nastąpił poprzez podniesienie napięcia i dołożenie tranzystorów.
Dobrym posunięciem było podniesienie napięcia dla sterownika.
Diody zenera w bramkach proponował bym 12V bo przy przeciążeniu tranzystory będą robić jako oporniki.
No i trzeba dołożyc 2x więcej tranzystorków bo ja robie 200W na 2 parach i zasilaniu +-56V.
Pomysł z rezystorami SMD jest - tej konstrukcji bo rezystory te muszą być wysoce przeciązalne i rezystory drutowe to mają.
Musi być jakiś Układ Skobla na wyjściu żeby tłumić przepięcia i obciążać częstotliwościowo układ, bo tranzystory pracują tu na granicy napięciowej.
Jak widzę niema zabezpieczenia p.zwarciowego hm
Można nie stabilizować napięcia pomocniczego do części napięciowej bo ono ma podążać za końcówką.

Oczywiście pomyliłem się w obliczeniach, macie całkowitą racje co do ilości tranzystorów mocy. Potrzeba 10x IRFP240 i 10x IRFP9240, tylko z tym jest już problem. Obciążenie pojemnościowe może ograniczyć pasmo przenoszenia i szybkość narastania napięcia. Sprawdzę jak by to dało się zrobić na IGBT. Stopnie sterujące są zasilane o 10V więcej niż końcowe a stabilizatory dałem bo nie wiem jak by się nałożyły napięcia niestabilizowane z końcówki mocy i dodatkowego 10V, być może nie będzie potrzebna stabilizacja dla stopni wejściowych to ją usunę. Diody zenera na 3,9V były użyte w innej końcówce więc i ja je dałem a jak będzie przeciążenie to i tak będą zniekształcenia, postaram się tak wyliczyć rezystory żeby układ sterujący ograniczał się później od stopni końcowych. Rezystory SMD wytrzymają nawet obciążenie 2 omy jak będzie użytych 2x10 IRFP i do każdego 20 rezystorów. Na wyjściu nie ma jeszcze nic bo czekam na propozycje bo sam nie czuję tego tematu, a zabezpieczenia będą na pewno tylko myślę jakie bo nie chcę nic podłączać na wyjściu.

@Witgol
Tranzystory pracują w układzie wtórników, więc z tymi pojemnościami bramek nie jest zupełnie tak jak opisałeś...

Zmiany napięcia dla IRFP240 i 9240 na bramce przy zmianie prądu od 0 do 2A wynosi 1V a do tego dochodzi pojemność zwrotna z drenu. Jest 10 razy mniejsza ale jest i gdy napięcie na bramce względem drenu zmienia się od powiecmy -90V do +90V to trzeba tą pojemność uwzględnić. W przetwornicach wysokonapięciowych obiawia się to małym poziomym schodkiem na zboczu narastającym bramki. Czasami przedłuża to czas przełączania dwukrotnie. Sprawdzałem czy można urzyć IGBT GT20D101 i GT20D201. Cena w TME jest zaporowa ale mają lepsze parametry. Może ktoś wie gdzie można je kupić trochę taniej?

Wiele tu teoretycznych rozwazan wiec ja dla odmiany troche praktyki:

Z pary IRFP240/9240 mozna wycisnac do ok 150W.
Ze schematu tego wzmaka widac ze jest projektowany na maksymalnie +-100V co tez wytrzymuja zastosowane tranzystory mocy. Z tego napiecia nie jest mozliwe osiagniecie 1000W/4omach bo trzeba zalozyc typowe zasilanie w spoczynku nie wiecej niz +-95V przy sieci 230V (musi byc zapas gdyby w sieci bylo 240V). Pod obciazeniem zasilanie spadnie ponad 10V wliczajac napiecie nasycenia koncowki mocy watpie zeby sie udalo uzyskac wiecej niz 700-800W/4omach do czego wystarczy juz tylko 5par tych mosfetow. Oczywiscie mozna dac z zapasem czyli 100W/parke.
W zasadzie w mosfetach to inne tranzystory nie wchodza w gre, wynalazki typu IGBT czy jakies specjalizowane mosfety sa po prostyu nie do dostania a jak juz to za pieniadze ktore przekreslaja projekt na wstepie.
rezystory wyjsciowe jako SMD to kiepski pomysl. Zajma sporo miejsca i beda niepotrzebnie podgrzewac plytke pozatym strasznie drogo. Zwykly druciak 5W kosztuje nie cale 40gr mozna kupic specjalny bezidnukcyjny choc do zastosowan audio nie widze takiej potrzeby.
Wyrzsze zasilanie preampu z mosfetami na wyjsciu ma sens choc zazwyczaj ogranicza sie wtedy maksymalna amplitude wzmacniacza napieciowego do wartosci napiecia zasilacza glownego (dioda z bramki do zasilania). A to po to ze w nasyceniu mosfet przechodzi z pracy wtornika na prace w ukladzie wspolnego zrodla i nagle rosnie mu pojemnosc bramki. Mozna ominac ten dodatkowy zasilacz i zastosowac bootstrap tak jak ja to zrobilem w n-mosfecie.

Trochę poprawiłem schemat, dodałem tranzystory na zasilaniu które będą w przyszłości zabezpieczały głośnik przed DC i przed przekroczeniem prądu maksymalnego dla stopnia mocy. Mam problem z kondesatorami C13,C14,C17,C18 muszą być na ponad 200V, może to być problem przy zakupach. Moze ktoś wie jak je zastąpić w innym miejscu lub jaka powierzchnia płytki dwustronnej 1,5mm zastąpi 10p?. Jeszcze jedno pytanko, jakie wartości elementów na wyjściu wzmacniacza są potrzebne dla 1000W.
Dla wyższych napięć można użyć IRF640/IRF9640 które mają 125W czyli mniej o 25W od IRFP240/IRFP9240 ale powiększyłem ich ilość. Nie mam doświadczenia z jakim chłodzeniem i ile ten układ wytrzyma i czy to ma sens?. Nie znam mocniejszych par i tu może być granica napięciowa.

Nie należy stosować TO220 jako końcowych bo z nimi są same kłopoty.
Aby uzyskać 1000W należy podnieść zasilanie do 120V, a tego nie wytrzyma ten układ.

A może klasa G? - takie rozwiązania często widuje się na estradzie. Dwa napięcia zasilania przykładowo 2x60V + 2x120V przełączane naprzemian wraz ze wzrostem "mocy".

2 Napięcia to jest dopiero wyzwanie i chyba tylko polacy w ADS ie sobie z tym radzą żeby to jakoś chodziło. A swoją drogą to można kupić działające konstrukcje tego typu bo to jest tak jakbyśmy teraz chcieli wyjśc na K2, za wysokie progi. W sumie 1000W to jest już szczytowa moc jaką może obskoczyć 1 głośnik więc po co więcej? Można w mostku i wiadomo 2x więcej.

Witam
Znowu coś porzerabiałem, MJE340/350 były poza zakresem bezpiecznej pracy więc zmieniłem je na MOSFETy. Tego jeszcze nie było, ciekawe jak to będzie działać. Myślę nad połączeniem tranzystorów szeregowo, zysk byłby duży nawet do +/-150V a może więcej. Moc strat rozłożyła by się na więcej tranzystorów i wzmacniacz 3000W na 4ohm byłby ośągalny ale skąd zasilacz do niego. Moc muzyczna wzmacniacza jest dwa razy większa od mocy RMS jeśli zasilanie nie siada. Wg mnie jest to poprostu prostokąt zamiast sinus i kazdy może to sprawdzić na kalkulatorze. Oczywiście w muzyce nigdy nie ma samego prostokąta więc moc będzie mniejsza ale i tak dobry zasilacz powinien dać 2xRMS. Chyba będe musiał do tego wzmacniacza , oczywiście stereofonicznego lub mono w mostku, zrobić zasilacz impulsowy bo trafo 4kW będzie za ciężkie no i oczywiście problem z napięciem 95V będzie rozwiązany. Zasilacz impulsowy musi być na 2xRMS żeby nie ograniczał się prądowo. Mam też problem do rozwiązania z tym zasilaczem a dokładnie ze stabilizacją obu napięć. Pobór prądu jest naprzemięnny i albo jedno napięcie stabilizuję a drugie lata na wszystkie strony albo stabilizuję oba na raz, a wtedy poziom masy będzie latał. Trzeba tak zrobić stabilizację żeby przetwornica ładowała bardziej te napięcie które aktualnie jest obciążone, może ktoś się spotkał już z takim rozwiązaniem? Innym wyjściem jest dać kondesatorów tyle ile przy zwykłym trafie.

ech kolega chyba chce teoretycznie wykonac ten wzmanciacz bo do praktycznej realizacji to ja tu widze 10lat ciezkich robot!!

Jest sporo bledow w wartosci elementow.
chocby R24,30 ktore od razu pojda z dymem no i dlaczego sa rozne?
R23,31 tylko 10om?? Wg wstepnych wyliczen wyjdzie ze prad wzmanciazca napieciowego wyniesie 1,4A co prz zasilaniu 200V da 280W strat mocy w tych niby wzmocnionych mosfetach!! Prad tej pary roznicowej ustawia sie typowo na 10mA a potem dodaje wtornik jak sie chce wiekszego pradu. Pozatym prz rezystorach 10om stabilizacja termiczna punktu pracy T13,14,20,21 bedzie tragiczna.
No i po co ci tyle opornikow w zrodlach mosfetow????
Dla mocy 1000W szczytowy prad wyniesie 22,5A co przy 10parach tranzystorow daje 2,25A/tranzystor w szczycie z czego wartosc srednia bedzie <1A co dla wartosci rezystora 0,2oma daje wydzielana moc tylko 0,2W. Ja bym dal 0,47oma 0,5W przewlekana miniaturke.

Nie wiem po co stosowac IRF640 bo trzeba dac dwa zamiast jednego IRFP240. Katalogowa moc strat dotyczy nie obudowy tranzystora a tylko wielkosc struktory polprzewodnika. dopiero wielkosc obudowy decyduje ile faktycznie mocy uda sie odprowadzic.

Witam
Wielkie dzięki za pomoc i dyskusję w tworzeniu projektu a zarazem obiecuję każdemu aktywnemu w pomocy, która coś wniesie do projektu, darmową płytkę gdy już będzie gotowa. Potrwa to pewnie parę miesięcy albo krócej, to zależy nie tylko odemnie. Wykonałem już bardziej skomplikowane projekty w dużo krótszym czasie. Taki laser do depilacji (cała elektronika) to dopiero była zabawa. Oczywiście nie dla siebie, musiał bym sprzedać mieszkanie żeby kupić części do niego.
Odnośnie wypowiedzi Irek2 to rezystory R24,30 nie spalą się a nawet muszę zmniejszyć ich rezystancje bo zmieniłem diody zenera na 7,5V i teraz na tych opornikach mam tylko 2,5V co daje za mały prąd dla diod zenera. Układ sterujący jest zasilany o 10V więcej i z tego to wynika. Może trochę zagmatwałem schemat z opisem mas ale taki już mój styl. Rezystory R23,31 mają tylko 10ohm bo chcę uzyskać na nich 1V czyli 100mA, być może jeszcze są źle dobrane rezystory ale w czasie uruchamiania lub wcześniej dobierze się je prawidłowo. Dodam wtórniki jeśli szybkość narastania napięcia na wyjściu będzie niewystarczająca, narazie zostawię na wzmacniaczu różnicowym o podwyższonym prądzie. Stabilizacja termiczna nie powinna być tragiczna bo grzanie przeniosłem na tranzystory wysokonapięciowe na wspólnej bazie, więc nie mają one wpływu na stabilność a do tego elementy odpowiedzialne za stabilność będą na wspólnym radiatorze. Nie zrobiłem jeszcze automatycznego zerowania bo chcę zobaczyć jak będzie pływać w czasie pracy i szykać sposobu na porawienie jej. Pisałem już wcześniej że wszystkie rezystory będą SMD dlatego w niektórych miejscach jest ich więcej. Przy zamawiani większej ilości płytek można się pokusić na automatyczny montaż elementów SMD, poprawi to szybkość uruchamiania wzmacniacza bo ludzie jednak często się mylą i robią dużo zimnych lutów. Wiem że zaraz napiszecie że wam się to nie zdarza ale lutowanie oporniczków nie należy do mojego hobby.
Jeśli chodzi o moc tranzystorów to taki producent jak IR nie wysysa z palca mocy tranzystorów tylko wylicza i testuje, więc jak napisał 125W to tyle lub nawet więcej wytrzyma (moc jest gwarantowana). Moc się wylicza dla temperatury obudowy 25 stopni i maksymalnej temperatury struktury. Tranzystor IRF640 ma 125W ponieważ ma rezystancje struktura/obudowa 1 stopień na wat. Oczywiście dochodzi rezystancja podkładek i dlatego większa obudowa jest lepsza. Wykonując bardzo starannie podkładki można uzyskać zadawalające efekty na TO220. Dla mniejszych mocy te tranzystory wystarczą i są dużo tańsze (uważać na podróby!).

Dar.El napisał:

Witam
Jeśli chodzi o moc tranzystorów to taki producent jak IR nie wysysa z palca mocy tranzystorów tylko wylicza i testuje, więc jak napisał 125W to tyle lub nawet więcej wytrzyma (moc jest gwarantowana). Moc się wylicza dla temperatury obudowy 25 stopni i maksymalnej temperatury struktury. Tranzystor IRF640 ma 125W ponieważ ma rezystancje struktura/obudowa 1 stopień na wat. Oczywiście dochodzi rezystancja podkładek i dlatego większa obudowa jest lebsza. Wykonując bardzo starannie podkładki można uzyskać zadawalające efekty na TO220. Dla mniejszych mocy te tranzystory wystarczą i są dużo tańsze (uważać na podróby!).

Jak chcesz uzyskać 125W z tego tranzystora? Ta moc w katalogu jest podana przy 25 stopniach obudowy przy wydzielaniu tej mocy.

Pozostaje tylko go chłodzić ... może ciekłym azotem.


Poza tym schemat , teoretyczny

Pomyliłem się, te tranzystory mają 150W bo struktura może mieć max 175 stopni. Ja nie napisałem że można wykorzystać te tranzystory w takim stopniu. Moc maksymalna jest potrzebna do obliczeń, więc tranzystor 180W jest tylko trochę lepszy od 150W. Przetestuję ile wytrzymają pary IRF840/9640 bo mam ich całą skrzynkę. Docelowo oczywiście będe stosował IRFP240/9240 których na początku uruchamiania szkoda. Każdy schemat na początku jest teoretyczny zanim nie będzie działać na płytce.
Mam problem z zasilaniem tego prototypu i niestety najpierw zrobię zasilacz impulsowy do budowy którego nie skorzystam z wiedzy zawartej na tym forum. W tym czasie kiedy będe lutował zasilacz nie przestanę pracować nad teorią wzmacniacza. Nie ma co się przejmować, jak ten nie zadziała to zrobię inny. Wiem że dla was liczą się tylko fakty, ale nie mogę porobić zdięc urządzeń komercyjnych ani umieścić ich schematów.

Zrobienie wzmaka na tranzystorach w obudowach TO220 to zaden problem tylko ze trzeba ich strasznie duzo zastosowac. Mysle ze 10par do tego wzmaka by wystarczylo lub 5-7par w TO218 i tylko 3-4pary! w TO3P (2SA1943/2SC5200 bipolar).

Faktycznie z tymi opisami GNDG, GNDD mozna sie pogubic i te rezystory sie nie spala.
Prad wzmacniacza napieciowego na poziomie 100mA bedzie dobry a spadek 1V na R23,31 powinien zapewnic dosc dobra stabilnosc termiczna. W takim przypadku kazdy z mosfetow T15,16,18,19 bedzie wydzielal nieco ponad 4W wiec bedzie konieczny radiator.
Maksymalny prad wyjsciowy tego stopnia bedzie wynosil 200mA. Gdyby zredukowac prad wzmacniacza napieciowego do typowych 10mA i dac wtorniki to prad sterujacy bramki mosfetow bylby w zasadzie nieograniczony a wspomniane wczesccniej tranzystory nie musialy by miec radiatorow.
Nie wiem dlaczego we wzmacniaczu napieciowym wybrales tranzystory mocy IRF640/9640 rezygnujac z bipolarnych?
Samo zalozenie o zwiekszeniu pradu wzmanciazca napieciowego ma sens ale zapomniales o tym ze uklad byl liczony na 10mA a teraz podniesienie pradu 10x powinno zaowocowac 10x wiekszym pradem wejsciowej pary roznicowej!
Bo jesli tego nie zrobisz to beda klopoty ze wzmocnieniem pradowym T13,14,20,21 ktore sa bipolarne.
Wybrales sobie maksymalnie rozbudowany uklad wzmacniacza a jeszcze nie dodales zabezpieczen pradowych. To tylko dwa tranzystory i kilka opornikow ale to jest konieczne!

Zmieniles podlaczenie C13,14,17,18 i teraz wartosc tych kondensatorow bedzie musiala byc wielokrotnie wieksza ale za to panujace na nich napiecie to tylko kilka volt.

I nawet sie nie przyznawaj ze nie umiesz lutowac bo to wstyd przy projektowaniu takiego urzadzenia.
Ja zaprojektowalem stereofoniczna koncowke mocy ze wszystkimi zabezpieczeniami na plytce <1dm2 gdzie wchodzi 250 elementow SMD! Polutowalem ponad 10 sztuk takich ukladow i kazdy odpalil od pierwszego wlaczenia.

Nie chcę narazie dawać wtórników bo zwiększy się wzmocnienie całego wzmacniacza, chcę żeby pracował na płytkim sprzężeniu zwrotnym i miał brzmienie lampowe. Zamieniłem bipolarne na unipolarne, ale nie sądze żeby to coś zmieniło, one nie biorą udziłu we wzmocnieniu sygnału tylko separują od wysokiego napięcia. W czasie uruchamiania sprawdzę też jak będzie dziłać w tym miejscu MJE15030/15031.
Napisałem że nie jest moim hobby lutowanie rezystorków ale wcale to nie oznacza że nie umiem lutować. Nie wziołeś pod uwagę że może ja już się wystarczająco nalutowałem a teraz wolę być konstruktorem a nie montażystą .

a to ciekawe ze wtornik zwieksza wzmocnienie!?
Pradowe owszem ale napieciowe ma <1.
Ten wzmacniacz ma akurat bardzo glebokie sprzezenie zwrotne a to brzmienie lampowe to chyba twoje senne marzenia ale tylko marzenia..

To bardzo teoretyczny projekt, i to nienajlepszej teorii, niestety . W tym momencie jestem zgodny z tym co powiedział irek2, włącznie z brzmieniem lampowym. Bez urazy ,zapomnij o tym .
Oprócz wymienionych przez kolegów zastrzeżeń, zwróciłbym uwage na dreny T15 i T18 - powinny być na masie bez elementów R27,R28,R29 i C15...
Stosowanie elementów SMD czyli takich których konstrukcja mechaniczna (brak nóg) nie pozwala na kompensacje zmian wymiarów pod wpływem temperatury w miejscach jej dużych zmian nie jest najszczęśliwszym rozwiązaniem.
Jest jeszcze problem kompensacj i wiele innych.
Nie lepiej upgradować istniejąca i działajacą konstrukcje ?
Najlepiej zacząć od prostszych rzeczy , 1KW czy ja wiem , troche duzo.

Macie rację że brzmienia lampowego nie uzyskam ale pomarzyć zawsze można. Obiecuję że będe się starał .
Dlaczego dreny T15 i T18 podłączyć do masy, muszę zrozumieć żeby coś zrobić. Podłączyłem ich bramki do potencjału GNDG i GNDD co uprościło schemat a zarazem przy małych tętnieniach napięć +/-95V (max 3V) nie będą nasycać się tranzystory wyjściowe ale zostawiłem diody zabezpieczające, przy pełnej mocy ważne jest żeby zniekształcenia zminimalizować. Nie zauważyłem problemów z grzaniem się SMD a stosuję podobne rozwiązania od paru lat. Problemy są tylko z jakością lutowania ręcznego, potrafią uszkodzić się (przeważnie kondesatory). Znam przypadek potraktowania płytek z elementami SMD temperaturą -55 stopni, elementy wytrzymały ale druk popękał.
Jeśli chodzi o kompensację częstotliwości to dobiorę kondesatory dopiero przy uruchomieniu. Tak trzeba spowolnić stopień wejściowy żeby nie był szybszy od wyjściowego bo będzie produkować zniekształcenia TIM.

bramki T15,16,17,18 podlaczyles do GNDG i GNDD zeby byo prosciej, wszystko w pozadku ale tym samym pogzebales cenne zalety wyzszego napiecia zasilania preampu!!
Po to sie podwyzsza zasilanie preampu aby dostarczal on napiecia wyjsciowego wyzszego od napiecia zasilacza glownego, dzieki temu mozna w pelni nasycic tranzystory wyjsciowe. Szczegolnie jest to wazne dla mosfetow ktore zeby sie nasycic musza dostac napiecie o ok 6-8V wieksze od napiecia zasilania. Aby jednak nie dochodzilo do pelnego nasycenia wystarczy podlaczyc zwykla diode z wyjscia preampu do obu zasiln wtedy napiecie z preampu bedzie nie wieksze niz zasilanie plus 0,7V co nie pozwoli nasycic sie tranzystorom mocy zachowujac ich maksymalna szybkosc.
W twoim ukladzie nie dojdzie do nasycenia tranzystorow mocy ale za to nasycac sie beda tranzystory wzmacniacza napieciowego czyli T15,15,17,18 a to tez nie dobrze.
Zreszta jak uruchomisz wzmak to popatrz jak wyglada nasycanie (przesterowanie) koncowki mocy przy 20khz. Jak bedzie widac dlugi czas wychodzenia z nasycenia to bedzie trzeba cos z tym zrobic.

Zauwazylem ze zaczynasz upraszczac schemat wiec jesli tak to prosi sie uproszczenie zrodel pradowych na T9-12.
Jesli te dodatkowe napiecie 10V jest stabilne a jest bo wychodzi ze stabilizatora to wywalilbym T9,D1,C8,R20 i T12,D10,C10,R22. Dobrac tylko trzeba R19,21 do wymaganego pradu.

R32,33,58,59 przy duzym pradzie wzmacniacza napieciowego nie beda pelnic zadnej roli wiec albo je wywal albo zmniejsz.

Bramki podłączyłem do GNDG i GNDD po długim namyśle. Napięcie stopni sterujących będzie dość wysokie przy maksymalnym wysterowaniu spowodowane separacją diodową od napięć zas. tranzystorów mocy. Kondesator na zasilaniu+ stopni wej. podładowany będzie gdy obciążona jest strona ujemna i na odwrót. W zasilaczu impulsowym będzie stabilizacja sumy napięć, co spowoduje jednak tętnienia w takt obcjążenia. Wolę przesterować stopień sterujący niż końcowy, kiedyś czytałem że taki układ tworzy mniej dokuczliwe zniekształcenia. Co do szybkości z wychodzenia z nasycenia to stopień sterujący zrobi to o wiele szybciej niż 20 IRF każdy po 1,5nF na bramce, sprawdzę to na oscyloskopie ale też jaką ma szybkość stopień sterujący z minimalną kompensacją. Wydaje mi się że nadajnik CB na stopniu sterującym by poszedł (chyba że będzie się wzbudzał upierdliwie)- czas pokaże.
Źródła prądowe są proste, te dodatkowe tranzystory biorą na siebie całe napięcie i będą się grzać w zamian uzyskam stabilniejsze żródło i o lepszych parametrach dynamicznych. Można dać większy rezystor i na nim wydzielić większość ciepła ale coś czuję że na tranzystorze będzie troszkę lepiej. Można tam wstawiać jakiekolwiek BF wysokonapięciowe które nie są drogie, muszę się przyznać że spowodowane jest to nadmiarem tych tranzystorów w szafie .
Absolutnie nie można likwidować żródeł prądowych, tu nie chodzi o stabilny prąd tylko o zasadę działana wzmacniacza różnicowego. Sam napisałeś w temacie "Holton 400W na 2OHM?" o problemie rezystora 18k a ja tam trochę bliżej wyjaśniłem sprawę.
R32,33,58,59 wstawiłem bo były w jednym schemacie, takie ściągające do masy bramki IRF mogą się przydać gdy się włącza zasilanie albo wyłącza. Oczywiście gdybym je zmniejszył, zmniejsze też wzmocnienie napięciowe wzmacniacza, kto wie może warto?!

ech nie chce mi sie juz pisac bo wszystko co napisalem zniknelo bo sie elektroda zawieszila...

Wiec teraz ci narysuje. Jak zrozumiesz dlaczego tak jest (rysunek) to pogadamy dalej.
C9 tez nie jest potrzebny ale widze (po ilosci tych w zasilaniu) ze lubisz lutowac kondensatory.

Juz malo brakowalo abys narysowal uklad w ktorym ani wzmacniacz napieciowy ani stopien koncowy nie wejda nigdy w nasycenia. No ale zrobiles po swojemu.

W końcu zaskoczyłem, to też jest źródło prądowe. Wielkie dzięki, powinno wystarczyć bo przy napięciu 10V niewiele zmieniać będzie się prąd około 1% na 100 stopni. Może uda mi się zrobić lustra prądowe żeby oba wzmacniacze miały dokładnie ten sam prąd co wpłynie korzystnie na stabilność i niekorzystnie na komplikację. Nie bardzo rozumiem jak mogę zrobić schemat który nie będzie nasycał stopni sterujących, a zarazem chciłbym zrobić miękkie przesterowanie. Gdy napięcie zacznie się zbliżać na max to np. 3V przed końcem wzmacniacz będzie tracił wzmocnienie i przesterowanie nie będzie ciąć sygnału tylko go spłaszczać.
Lubię dawać kondesatory bo stabilizują napięcie lokalnie i nie muszę się martwić że powstaną jakieś sprzężenia. Ale trochę zmniejszyłem ich ilość albo pojemność. W prototypie jest niebezpiecznie redukować elementy, lepiej jak już będzie działac to można poeksperymentować i obniżać komplikacje.
Jak będe projektować PCB to logikę zabezpieczającą zrobię na odzielnej płytce podłączaną jakimś złączem do płytki wzmacniacza, ponieważ nie wszystkim spodoba się mój schemat tego układu. Będzie to układ na wzmacniaczach operacyjnych mierzący napięcie wyjściowe i prąd na IRF3710 a właściwie spadek napięcia na nich. Prąd wyjściowy będzie mógł się zmieniać w takt napięcia wyjściowego i powiecmy że wyłączenie będzie następować gdy I>Imax a Imax to Uwy/4omy. Jeśli ktoś będzie miał źle wyliczoną zwrotnicę głośnikową to te zabezpieczenie nie pozwoli pograć na takiej kolumnie. Myślę że przy takich mocach niebezpiecznie jest dla IRF końcowych takie ziawisko, oczywiście wykrywanie napięcia stałego też na wzmacniaczach op. i chyba nawet zdublowany.
Przekaźnika na wyjściu nie daję bo z nimi jest problem gdy załączjąsię i wyłączają bez prądu (śniedzieją im styki) i do tego w czasie gry mogą po jakimś czasie iskrzyć. Mój układ będzie szybszy i nie będzie ingerować w sygnał wyjściowy a te parę kondesatorów na IRF ma za mało energi żeby stwarzać problemy w trakcie wyłączania i włączania (mam taką nadzieje).

Mam dla was małą niespodziankę, następnym razem zamieszczę mocno przerobiony schemacik ze wzmacniacza HI-END na MOSFETy i wysokie napięcie .

nie zrobisz takiego miekkiego clipingu elektronicznie. To sie nazywa limiter mocy i stosuje sie go w estradowych wzmacniaczach. Zazwyczaj wykozystuje sie do tego celu diode led i fotorezystor. Dioda jest sterowana z ukladu wykrywania clip a fotorezystor zwiera sygnal na wejsciu oczywiscie plus szeregowy rezystor.

nasycenie tranzystora to nic innego jak zero napiecia (<1V) miedzy kolektorem a emiterem lub analogicznie z mosfetem zrodlo-dren.
Dajac diode zenera 7V5 wlasnie przyczyniles sie do tego ze T16 i T19 nigdy sie nie nasyci.
Jedyny problem to to ze te 7,5V moze byc za malo ale nie moze byc wiecej bo zasilanie dodatkowe ma tylko 10V.
Przy pelnym wysterowaniu T14 na kolektorze bedzie ponad 2V plus napiecie bramki T16 ok 4V co da 6V. 7,5-6V daje tylko 1,5V na T14 co przy takim pradzie jest dla niego nasyceniem. Sprawe pogorszylo zastosowanie mosfetow bo bipolarne maja tyko 0,7V BE a mosfety nawet >4V.

Nie chce mi sie juz pisac o pomiarze pradu na mosfetach, napisze tylko ze to glupota. Limitowanie pradu tranzystora jest zalezne od panujacego na nim napiecia a nie tylko od samego pradu. Przy pelnym nasyceniu mosfet moze przewodzic dziesiatki amper ale robiac zwarcie na wyjsciu wzmaka kiedy panuje na nim pelne napiecie zasilacza moze przewodzic pojedyncze ampery. Sytuacje jeszcze komplikuje zwarcie w mostku ktoro jest najbardziej wymagajace.
Wszyscy mierza prad na rezystorach emiterowych (zrodlowych) a ty chcesz byc inny. Jak na razie to chcesz wykonac audiofilko grajacy wzmacniacz ktory nie ma najprostrzych zabezpieczen krotko mowiac szmelc.

Co do transoptora ktory sie pojawil to tez rece opadaja. Jestes pewnien do czego on sluzy i jak dziala??

Tak jak obiecałem nowy schemacik napewno lepszy. Nad zabezpieczeniami pomyślę dopiero jak zrobię wzmacniacz na uniwersalce ale zabezpieczenia nie będą na płytce wzmacniacza żeby nie utrudniać prowadzenie masy. Zrobię je na wtykanej płytce do płytki wzmacniacza.