Jak dodać parę tranzystorów do wzmacniacza N-MOSFET AVT2762?

✨ Dyskusja dotyczy modyfikacji wzmacniacza AVT2762 opartego na tranzystorach N-MOSFET, w szczególności dodania dodatkowych par tranzystorów IRFP250N lub IRFP260N w celu zwiększenia mocy wyjściowej. Poruszono kwestie doboru rezystorów źródłowych (zalecane wartości to 3x0,68 Ω 0,5W zamiast 3x0,22 Ω 5W), które służą do wyrównania prądów i ograniczenia prądów wyjściowych, a także konieczności parowania tranzystorów ze względu na rozbieżności parametrów, zwłaszcza napięcia progowego Ugs(on). Omówiono również zabezpieczenia prądowe i termiczne, w tym zastosowanie wyłączników bimetalicznych oraz modyfikacje układu zabezpieczeń przy wyższych napięciach zasilania (do ±60 V, a nawet ±85 V z odpowiednimi zmianami elementów). Wskazano, że oryginalny wzmacniacz nie posiada zabezpieczenia termicznego, co może powodować wyłączanie się przy wysokich temperaturach lub napięciach. Wzmacniacz na 4 tranzystorach MOSFET może osiągać moc około 300-400 W na obciążeniu 4 Ω przy zasilaniu około ±55-60 V. Dyskutowano także o projektach płytek drukowanych, ich poprawności i dostępności, a także o zastosowaniu wzmacniacza w konfiguracji mostkowej dla uzyskania większej mocy. Poruszono temat radiatorów odpowiednich do chłodzenia tranzystorów oraz wpływu napięcia zasilania na moc i stabilność pracy wzmacniacza. Wskazano, że przy większej liczbie par tranzystorów konieczne jest dokładne parowanie i odpowiedni dobór rezystorów źródłowych, aby uniknąć przeciążeń i uszkodzeń. Wzmacniacz jest stosowany także w wersjach estradowych i subwooferowych, gdzie ważne są odpowiednie parametry zasilania i chłodzenia.
Wygenerowane przez model językowy.