Dwie amerykańskie firmy z branży półprzewodnikowej upubliczniły w ostatnich dniach nowy rodzaj układu pamięci, opisywany przez producentów jako "rewolucyjny" i mający zmienić oblicze komputerów, usług i aplikacji.
Firmy Intel i Micron zachwalają nowatorską technologię 3D XPoint, którą wykorzystano do konstrukcji tych przełomowych układów. Pamięci te są już od jakiegoś czasu w produkcji i reprezentują nową generację pamięci półprzewodnikowych, która ma zastąpić pamięci flash typu NAND wprowadzone na rynek w 1989 roku.
"Nowa klasa pamięci nieulotnych, jest rewolucją techniczną, która umożliwić ma szybki dostęp do ogromnych ilości danych, co ma umożliwić tworzenie zupełnie nowych aplikacji" - mówi szef firmy Micron Mark Adams.
Pamięci nieulotne to takie, w których dane zapisywane są nawet na czas odłączenia zasilania od układu. Pamięci tego rodzaju stosowane są w wielu urządzeniach, takich jak smartfony, mierniki mocy, urządzenia AGD, samochody etc. Według opinii firm Intel i Micron znaczny wzrost ilości tych urządzeń dookoła nas przekłada się na zwiększenie ilości produkowanych danych. Danych, które muszą być szybko analizowane i przechowywane.
Nowa technologia pamięci pozwalają na tworzenie układów które są 1000 razy szybsze niż pamięci NAND i pozwalają na 10 razy gęstszy zapis, zgodnie z publikacjami obu firm. "Od dekad przemysł poszukiwał drogi na zmniejszenie opóźnień pomiędzy procesorem a pamięcią, aby umożliwić szybszą analizę danych" - mówi wicedyrektor Intela Rob Crooke. "Nowa klasa pamięci nieulotnych osiąga ten cel i pozwala na stworzenie rozwiązań do przechowywania i analizy danych o o wiele lepszych parametrach" - dodaje.
Przykładami zastosowania nowatorskiej technologii jest chociażby identyfikowanie podejrzanych transakcji w sklepach internetowych w czasie rzeczywistym czy też analiza danych medycznych "na żywo". Nowy rodzaj pamięci może także pomóc w analizie danych statystycznych czy genetycznych.
Technologia 3D XPoint może także pomóc rozszerzyć bliższe nam rzeczy jak komputery osobiste, co pozwoli przyspieszyć działanie portali społecznościowych czy gier komputerowych.
Źródło: http://phys.org/news/2015-07-intel-micron-memory-chip-tuned.html#jCp
Firmy Intel i Micron zachwalają nowatorską technologię 3D XPoint, którą wykorzystano do konstrukcji tych przełomowych układów. Pamięci te są już od jakiegoś czasu w produkcji i reprezentują nową generację pamięci półprzewodnikowych, która ma zastąpić pamięci flash typu NAND wprowadzone na rynek w 1989 roku.
"Nowa klasa pamięci nieulotnych, jest rewolucją techniczną, która umożliwić ma szybki dostęp do ogromnych ilości danych, co ma umożliwić tworzenie zupełnie nowych aplikacji" - mówi szef firmy Micron Mark Adams.
Pamięci nieulotne to takie, w których dane zapisywane są nawet na czas odłączenia zasilania od układu. Pamięci tego rodzaju stosowane są w wielu urządzeniach, takich jak smartfony, mierniki mocy, urządzenia AGD, samochody etc. Według opinii firm Intel i Micron znaczny wzrost ilości tych urządzeń dookoła nas przekłada się na zwiększenie ilości produkowanych danych. Danych, które muszą być szybko analizowane i przechowywane.
Nowa technologia pamięci pozwalają na tworzenie układów które są 1000 razy szybsze niż pamięci NAND i pozwalają na 10 razy gęstszy zapis, zgodnie z publikacjami obu firm. "Od dekad przemysł poszukiwał drogi na zmniejszenie opóźnień pomiędzy procesorem a pamięcią, aby umożliwić szybszą analizę danych" - mówi wicedyrektor Intela Rob Crooke. "Nowa klasa pamięci nieulotnych osiąga ten cel i pozwala na stworzenie rozwiązań do przechowywania i analizy danych o o wiele lepszych parametrach" - dodaje.
Przykładami zastosowania nowatorskiej technologii jest chociażby identyfikowanie podejrzanych transakcji w sklepach internetowych w czasie rzeczywistym czy też analiza danych medycznych "na żywo". Nowy rodzaj pamięci może także pomóc w analizie danych statystycznych czy genetycznych.
Technologia 3D XPoint może także pomóc rozszerzyć bliższe nam rzeczy jak komputery osobiste, co pozwoli przyspieszyć działanie portali społecznościowych czy gier komputerowych.
Źródło: http://phys.org/news/2015-07-intel-micron-memory-chip-tuned.html#jCp