Ile cykli zapisu wytrzymuje pamięć EPROM 24C64 (EEPROM, I2C)?

Question

Ile razy można zapisać do EPROM 24C64? Witam. Chciałem zapytać, ile razy można zapisać do EPROM 24C64? Dla przykładu zapisuję do jednej komórki pamięci np.: EI2C_write_buf( EPROM_2, 512, 1, dane); Ile razy mogę to zrobić dla danej pamięci, aby nie uległa uszkodzeniu?

gregor124 · Answer

Zależy od producenta, np. ST definiuje to tak: More than 1 Million Erase/Write Cycles.

JORGEN1970 · Answer

Milion cykli ? Dobrze zrozumiałem? Ale na jedną komórkę pamięci?

gregor124 · Answer

Co znaczy na jedną komórkę pamięci?
Bit?
Najmniejsza możliwa porcja informacji do zapisu jest bajt.
1 milion Erase/Write dotyczy ilości operacji, czy będzie to cały układ, czy 1 bajt liczy się jako 1.
Ale projektując układ, nie powinieneś na to liczyć, raczej radziłbym ci ograniczyć liczbę cykli zapisu/odczytu do niezbędnego minimum, albo zmienić typ pamięci

JORGEN1970 · Answer

Niewiem o co tu chodzi zrobiłem takich zapisów : EI2C_write_buf( EPROM_2, 512, 1, dane); już wiecej niż 3 miliony i pamięć działa poprawnie. Oczywiście chodzi o Bajt pamięci.

gregor124 · Answer

Tego parametru nie należy brać za pewnik. Raczej należałoby go odczytać tak, że producent nie bierze odpowiedzialności powyżej 1 mln cykli lub po ich przekroczeniu zmieniają się parametry, zwłaszcza czasowe lub prądowe, poza zakres podany w datasheet. Zresztą te wieloletnie – każda firma może definiować na swój sposób i najlepiej byłoby się dowiedzieć od nich.
Jeśli to eksperyment lub urządzenie jednostkowe, w dodatku jego uszkodzenie nie spowoduje katastrofy, to dobrze, ale jeśli miałoby być np. masowo produkowane, to znaczyłoby, że za jakiś czas, mniej więcej po przekroczeniu 1 mln zapisów, mógłbyś się spodziewać wzrostu reklamacji z powodu pamięci.
Pamiętajmy, że producenci wciąż udoskonalają swoje technologie, a te parametry były ustalane kilka lat wcześniej.
Może być jeszcze tak, że procedura programowania najpierw sprawdza zawartość docelowego bajtu i jeśli jest taka sama jak tego do zapisu, to w rzeczywistości kasowanie i zapis są pomijane.

Pomogłem? Kup mi kawę.

Promuję tematy:
03.05.2026 Nie taki zwykly emulator 65C816/65C02/8080 na STM32H750
01.04.2026 Apple-1 (Apple I) z 1976 r. - jak był zbudowany, 50 rocznica powstania firmy Apple.
23.09.2025 50 lat temu narodziła się legenda, procesora 6502, która nieprzerwanie trwa do dziś
11.07.2025 Wczesne narzędzia do tworzenia gier na Atari 2600 i 5200 – system FROB-26.
25.08.2023 BLACK BOX V.9 - C64 - Czyli Zrób to sam ;)

JORGEN1970 · Answer

I o to chodzi jak upalę jedną pamięć i stracę pare złotych nic się nie stanie, ja próbuję sprawdzić ile razy faktycznie mogę wykonać zapis. I teraz jest tak co 10 sekund zapisuję w pętli około 1000 zapisów , czyli w czasie jednej sekundy wykonuje 100 zapisów. Puszczam program na około 9 godzin czyli 9x3600x100=3 240 000 a robiłem takie próby 2 razy czyli mam 6 480 000 a pamięć działa . Pytanie czy o takim zapisie mowa , czy jednak pamięc więcej wytrzyma?

gregor124 · Answer

Nie wiem, czym je programujesz i jakiego są producenta, ale znalazłem informację, że SIEMENS podaje, że cała procedura zapisu 1 bajtu trwa maksymalnie 8 ms.
Może się okazać, że ten 1 milion to nie czas, kiedy układ faktycznie się uszkodzi, a ile wytrzyma takich cykli, że wszystkie gwarantowane parametry czasowe nie ulegną zmianie i będą zachowane w normach.
Pamiętam, że tak było z pamięciami FRAM, gdzie była zdefiniowana liczba cykli odczytu i zapisu, po jej przekroczeniu układ nadal działał, ale np. mógł wydłużyć się czas zapisu.
Z drugiej strony te pamięci FLASH są na rynku już dość długo, a te normy powstały już dawno, więc i technologie produkcji mogą być udoskonalone.
A czy zapisujesz na przemian 0 i 1?
Co do tych pamięci to pamiętam, że były z nimi problemy w urządzeniach eksploatowanych przez wiele lat (ponad 25),
w których podtrzymywały konfigurację (która z zasady nie była zmieniana) i nagle zaczynały się psuć pojedyncze bity właśnie w tych pamięciach.

Pomogłem? Kup mi kawę.

Promuję tematy:
03.05.2026 Nie taki zwykly emulator 65C816/65C02/8080 na STM32H750
01.04.2026 Apple-1 (Apple I) z 1976 r. - jak był zbudowany, 50 rocznica powstania firmy Apple.
23.09.2025 50 lat temu narodziła się legenda, procesora 6502, która nieprzerwanie trwa do dziś
11.07.2025 Wczesne narzędzia do tworzenia gier na Atari 2600 i 5200 – system FROB-26.
25.08.2023 BLACK BOX V.9 - C64 - Czyli Zrób to sam ;)

JORGEN1970 · Answer

EI2C_write_buf( EPROM_2, 512, 1, dane); taką funkcją wysyłam dane uint8_t .
Funkcja wygląda tak:
void EI2C_write_buf(u08 device, u16 subAddr, u16 len, u08 *buf) {

while (len--) {
TWI_start();

TWI_write(device); // TWI_write( device | ((subAddr>>8)<<1) );
TWI_write(subAddr >> 8);
TWI_write(subAddr++);

TWI_write(*buf++);

TWI_stop();
_delay_ms(5); // oczekiwanie na zapis
subAddr++;
}
}

gregor124 · Answer

>>21734569
Nie widzę tu kontroli poprawności zapisu.
Po każdym zapisie powinien być odczyt i porównanie danych odczytanych z zapisanymi.
Te układy raczej nie sygnalizują błędu zapisu i to ty powinieneś go wykryć właśnie przez weryfikację.
Co to za kompilator, bo każdy może wyprodukować inny kod ?

jajacek44 · Answer

EEPROM, tak jak EPROM, jest kasowany całościowo. Czyli maksymalnie dotyczy to tak samo minimalnej jednostki alokacji, jak i całej kości. Destrukcyjne są cykle kasowania.

gregor124 · Answer

A to ciekawe, możesz to rozwinąć, bo w dokumentacji producentów układów, o których to rozmawiamy, a więc 24C64, jest mowa tylko, że można zapisać pojedynczy bajt lub stronę (32 bajty). Oczywiście można też zapisać całą pamięć, powtarzając powyższe operacje, ale to inna bajka

jajacek44 · Answer

Tak można zapisać jednostkę alokacji, ale kasuje się całą pamięć. Degradują się te komórki, które zmieniają stan. (Mogą to być pojedyncze bity).

ostrytomasz · Answer

Nie wiem czy EEPROM zachowuje się podobnie, ale dla pamięci NAND SLC wraz z ilością cykli P/E maleje czas retencji. W takim wypadku nawet sprawdzenie zawartości pamięci od razu po zapisie nie gwarantuje że pamięć będzie spełniać dalej swoją rolę.

Patrząc się na metal-nitride-oxide-silicon EEPROM: https://nepp.nasa.gov/files/16152/05_001%20Chen%20%20EEPROM%20Final%20Report.pdf (10x degradacja po 10k cykli zapisu) mogę przypuszczać że dla pamięci CMOS EEPROM również może istnieć taka zależność.

jajacek44 · Answer

EEPROM to nie FLASH. We flash można skasować sektor (klaster), a EEPROM kasuje się cały.

Sam Sung · Answer

Czy możesz podać źródło tej rewelacji, bo to jest sprzeczne z tym, co wiem/znalazłem. Microchip podaje Write Endurance >= 1000000 Write Cycles i to jest liczone per bajt, bo właśnie inaczej niż w flashu kasowalny/zapisywalny jest pojedynczy bajt - lub równolegle do 8/16 bajtów naraz w ramach jednej strony/wiersza. Czyli ja to rozumiem tak, że każdy bajt można zapisać co najmniej milion razy, czy to pojedynczo, czy w ramach zapisu strony. Interfejs I²C nie przewiduje rozkazu kasowania całego chipu. Kto i gdzie przechowuje zatem zawartość pozostałych bajtów pamięci (N-1), gdy I²C master każe zmienić jeden bajt?

jajacek44 · Answer

Tak owszem można zapisać pustą jednostkę alokacji ale....
Nadpisanie już zapisanej jednostki to jest kasowanie całości .
To jest EEPROM a nie flash .
Różnica pomiędzy eeprom a eprom jest taka że kasuje się elektrycznie a nie ultrafioletem .
A co przechowuje ? , to tylko inwencja autorów projektu.
W zamierzchłych czasach używano dwóch eeprom roboczy i kopia (bufor) .
Plus oczywiście odpowiednie algorytmy synchronizacji .

stachu_l · Answer

A pokażesz Datasheet to opisujący bo np Atmel EEPROM 28C64 opisuje zapis bajtu - wartość jest zatrzaskiwana, bajt kasowany i zapisywany. Nic nic ma o całkowitym kasowaniu pamięci.

jajacek44 · Answer

Kolego @stachuI czytać całość i ze zrozumieniem .
CHIP CLEAR: The contents of the entire memory of the
AT28C64 may be set to the high state by the CHIP CLEAR
operation. By setting CE low and OE to 12 volts, the chip is
cleared when a 10 msec low pulse is applied to WE.
Magistrala I2C czy ISP nie zapewniają tego , tylko hardware + reszta mikromózgu .

stachu_l · Answer

Ale to możesz zrobić a nie musisz aby zapisać bajt. To jest tylko przyspieszenie kasowania całości.

jajacek44 · Answer

To pisałem dopisywać można ale zmieniać to inna para kaloszy .
Np. zapisałeś pierwszy bajt i chcesz go zmienić reszta idzie się bzibziać 11111111 ....
Pisałem już dopisywać można , ale zmiana to kasacja całości .
Na 1111.... zmienia się całość a nie jednostkę akacji z 0 na1 zmienia się całość kości albo nic !

stachu_l · Answer

To zobacz opis WRITE BYTE na stronie 3 - Robisz operacje write, wartość bajtu jest zatrzaskiwana w rejestrze wewnątrz pamięci i startuje cykl kasowanie bajtu i ponowny zapis który dla cytowanej pamięci trwa do 200us z tego wychodzi zapis całości bajt po bajcie ok 1.6s. Można więc zmienić wartość dowolnego bajtu tej pamięci bez naruszania reszty.

jajacek44 · Answer

Tyle że to niCHIP CLEAR: The contents of the entire memory of the
AT28C64 may be set to the high state by the CHIP CLEAR
operation. By setting CE low and OE to 12 volts, the chip is
cleared when a 10 msec low pulse is applied to WE.
Tylko jest eeprom tylko flash .

stachu_l · Answer

Ale nigdzie nie jest napisane, ze przed zapisem trzeba robić CHIP CLEAR a tylko można go wykonać aby wyczyścić pamięć. Gdyby zapisywać bajt po bajcie same 0xFF to zajmie owe 1.6s ale można całą pamięć skasować w 10ms przy pomocy CHIP CLEAR i to jest jego zastosowanie.

jajacek44 · Answer

Żeby EEPROM nadpisać, a nie dopisać, to trzeba zrobić 1111... a to się robi po całości, to nie flash.
EEPROM-y bywały ośmiobitowe, szesnastobitowe i o większej jednostce alokacji.
Czy do Kolegów nie dociera, że żeby zmienić zawartość z 0 na 1, trzeba skasować całość?
Przynajmniej w EPROM i EEPROM?

stachu_l · Answer

Kolego @jajacek44 w EEPROM możesz skasować całość przy pomocy CHIP CLEAR ale możesz zmienić zawartość dowolnego bajtu bo zgodnie z opisem przed zapisaniem wartości bajtu układ robi: Internally, the device performs a self-clear before write. To jest opisane na stronie 3 dla AT28C64.

jajacek44 · Answer

-+FLASH ?
BYTE WRITE: Writing data into the AT28C64 is similar to
writing into a Static RAM. A low pulse on the WE or CE
input with OE high and CE or WE low (respectively) ini-
tiates a byte write. The address location is latched .
To jest jakiś komputerek czyli Art Nuweo a nie pamięć.
Raczej zaawansowany cosik a nie flash .

stachu_l · Answer

FLASH wymaga skasowania całego bloku/strony pamięci przed zapisem ale może mieć także funkcje kasowania całości.

jajacek44 · Answer

Skasowanie bloku to flash a nie eeprom . Mongolskie powieki mogą pisać co chcą nie na to norm (przynajmniej u nich) .

stachu_l · Answer

Tak właśnie napisałem bo początkowo było tylko FLASH? bez reszty tekstu. Każdy taki scalak pamięci czy EEPROM czy FLASH ma wbudowaną pewna maszynkę stanów generującą cykle kasowania i zapisu. To pokaż inne opisy scalaków np od TI czy Intela gdzie jest opisane inaczej i dodatkowo jest wymaganie na kasowanie całego EEPROM przed zapisem (wymaganie a nie możliwość) pojedynczego bajtu bo o to toczy się spór. Dla mnie w EEPROM możesz zapisywać nowe wartości do bajtów bez niszczenia zawartości innych bajtów a w FLASH musisz wpisywać całe bloki/strony bo takimi porcjami są kasowane dane.

Ile cykli zapisu wytrzymuje pamięć EPROM 24C64 (EEPROM, I2C)?

Ile cykli zapisu wytrzymuje pamięć EEPROM 24C64 i czy można wielokrotnie zapisywać ten sam bajt bez jej uszkodzenia?

Post #1

Post #2

Post #3

Post #4

Post #5

Post #6

Post #7

Post #8

Post #9

Post #10

Post #11

Post #12

Post #13

Post #14

Post #15

Post #16

Post #17

Post #18

Post #19

Post #20

Post #21

Post #22

Post #23

Post #24

Post #25

Post #26

Post #27

Post #28

Post #29

Post #30

Podsumowanie tematu