logo elektroda
logo elektroda
X
logo elektroda
REKLAMA
REKLAMA
Adblock/uBlockOrigin/AdGuard mogą powodować znikanie niektórych postów z powodu nowej reguły.

Zabezpieczenie układu 24V/23A przed odwrotną polaryzacją – dioda, bezpiecznik czy MOSFET?

SzeryfK 27 Lis 2025 21:27 657 25
REKLAMA
  • #1 21764440
    SzeryfK
    Poziom 2  
    Posty: 23
    Witam,
    Buduję układ, który zasilany będzie z akumulatora 24 V. Chciałbym zabezpieczyć układ przed odwrotną polaryzacją napięcia zasilania. Dodam, że prąd pobierany przez układ będzie dosyć duży — około 2/3 A.

    W związku z tym chciałbym zapytać, jak rozwiązać tę kwestię.
    Opcja 1 to dioda Schottky'ego szeregowo w linii zasilania, ale uważam, że dioda nie wytrzyma takiego prądu.
    Opcja 2 to dioda Schottky'ego równolegle do zasilania i masy, przed diodą bezpiecznik, który spali się, gdy będzie zła polaryzacja - uważam, że to najlepsza opcja, ale czy dobrze myślę?

    Schemat z bezpiecznikiem szeregowo i diodą Schottky'ego równolegle do masy

    Opcja 3 to dioda idealna, którą gdzieś tam znalazłem, ale nie wiem, czy dobrze zrozumiałem i poniższy układ spełni funkcję ochronną przed odwrotną polaryzacją?

    Schemat z układem MOSFET jako zabezpieczenie przed odwrotną polaryzacją

    Bardzo proszę o pomoc! Z góry bardzo dziękuję!

    Pozdrawiam!
  • REKLAMA
  • Pomocny post
    #3 21764474
    beatom
    Poziom 38  
    Posty: 3627
    Pomógł: 420
    Ocena: 859
    To wreszcie 23A czy 2/3A? Bo podajesz dwie rozne wartosci w tytule i w opisie.
    Ja bym zastosowal mostek, jak przedmowca.
  • REKLAMA
  • #5 21764487
    beatom
    Poziom 38  
    Posty: 3627
    Pomógł: 420
    Ocena: 859
    4.2W...chyba...
    Ale to nie jest duzo na dzisiejsze mostki. Radiator nie musi byc duzy. Zreszta jak obudowa urzadzenia metalowa, to mozna mostek do niej przykrecic.
  • #6 21764493
    SzeryfK
    Poziom 2  
    Posty: 23
    xury napisał:
    Mostek Graetza na wejściu. Wtedy obojętnie jak podłączysz zasilanie na wyjściu zawsze biegunowość będzie się zgadzać.

    Nie spotkałem się nigdy z takim rozwiązaniem; raczej zawsze są pojedyncze diody/tranzystory. Z czego to wynika? Czy zastosowanie mostka niesie za sobą jakieś negatywne konsekwencje?

    beatom napisał:
    To wreszcie 23A czy 2/3A? Bo podajesz dwie rozne wartosci w tytule i w opisie.

    Automatycznie wygenerowałem tytuł i nie zauważyłem błędu — mówimy o prądzie 2/3 A.

    Bardzo Wam dziękuję za odpowiedź i proszę o dalsze rozwinięcie tematu.
  • Pomocny post
    #7 21764502
    Ricoh_220

    Poziom 38  
    Posty: 3714
    Pomógł: 464
    Ocena: 751
    Dioda shotky w szereg i po temacie 2/3 A to nie tak wielki prąd. W zasilaczach nie takie prądy prostują.
    Konto firmowe:
    Zakład techniki biurowej"Kserograf" .Serwis kserokopiarek i urzdzeń marki ricoh
    Bronowicka 73, Kraków, 30-091 | Tel.: 603XXXXXX (Pokaż) | Strona WWW: https://kserograf.e.pl
  • Pomocny post
    #8 21764505
    xury
    Specjalista automatyka domowa
    Posty: 7075
    Pomógł: 877
    Ocena: 1488
    SzeryfK napisał:
    raczej zawsze są pojedyńcze diod/ tranzystory z czego to wynika?

    Z dwóch powodów. Pierwszy to cena. Drugi to straty na diodach: obniżone napięcie o 1.4V na zwykłym mostku co powoduje straty w ciepło w wysokości 4.2W przy prądzie 3A. Można zastosować mostek na diodach schottky co spowoduje straty mniejsze niż 2W. zakładając spadek napięcia o 0.7V na mostku z diod schottky.
  • #9 21764516
    SzeryfK
    Poziom 2  
    Posty: 23
    xury napisał:
    Drugi to straty na diodach: obniżone napięcie o 1.4V na zwykłym mostku co powoduje straty w ciepło w wysokości 4.2W przy prądzie 3A


    Rozumiem, 4,2 W dla małego elementu to dosyć sporo, a nie chcę stosować dodatkowego elementu w postaci radiatora.

    A czy moja opcja 3 nadaje się do tego? >>21764440
    Albo inne podobne rozwiązanie, które znalazłem na forum z wykorzystaniem tranzystora P-MOS?
    https://ep.com.pl/files/4726.pdf

    Czy te rozwiązania zapewnią bezpieczeństwo przed odwrotną polaryzacją?

    Pozdrawiam!
  • REKLAMA
  • Pomocny post
    #10 21764539
    gklub
    Poziom 34  
    Posty: 1706
    Pomógł: 292
    Ocena: 729
    Tak działa zabezpieczenie mosfetem:
    Schemat zabezpieczenia z MOSFET-em i wykresy dla obciążeń 1–20 A
    Straty widzisz na górnym wykresie.
    Mosfet klasy rezystancja kanału 0,01Ω.
    Tu dla prądu 1 2 5 10 i 20A
  • Pomocny post
    #11 21764550
    _jta_
    Specjalista elektronik
    Posty: 48884
    Pomógł: 3200
    Ocena: 4199
    Popularne diody Schottky: 1N5819 - 1A 40V. 1N5821 - 3A 30V. 1N5818 - 1A 30V (droższe od 1N5819). 1N5822 - 3A 40V (tańsza od 1N5821). Ceny według tego, co znalazło Google - w lokalnym sklepie może być inaczej - ale na Aliexpress też te na wyższe napięcie bywają tańsze. Hm... znalazłem na Aliexpress ofertę 20 sztuk np. 1N5822 za 3,70zł z darmową dostawą od GUXINWAY Store.

    Układ z MOSFET-em jest o tyle lepszy, że ma mniejszy spadek napięcia. Ale przy 24V trudno o MOSFET-a, który dopuszcza takie napięcie na bramce, trzeba je obniżać, to komplikuje układ - zamiast 1, są 3 elementy.
  • #12 21764558
    SzeryfK
    Poziom 2  
    Posty: 23
    gklub napisał:
    Tu dla prądu 1 2 5 10 i 20A

    @gklub Wielkie dzięki za tę symulację!

    Straty dla 5 A są mniejsze niż 1 W, więc wydaje mi się, że bardzo mało.

    A w jakim celu została zastosowana dioda Zenera? Chroni bramkę przed zbyt dużym napięciem?

    _jta_ napisał:
    Układ z MOSFET-em jest o tyle lepszy, że ma mniejszy spadek napięcia. Ale przy 24V trudno o MOSFET-a, który dopuszcza takie napięcie na bramce, trzeba je obniżać, to komplikuje układ - zamiast 1, są 3 elementy.


    @_jta_ Dziękuję za odpowiedź. Wolę się pokusić o większą ilość elementów i mniejszy spadek.
    Natomiast zastanawiam się jeszcze nad moją opcją 3, czy ona ma możliwość zadziałania w tym przypadku? Jesteście w stanie mi wytłumaczyć?

    Schemat z tranzystorem, diodą i bezpiecznikiem w układzie zasilania 24V

    Z góry bardzo dziękuję!
  • #14 21764582
    _jta_
    Specjalista elektronik
    Posty: 48884
    Pomógł: 3200
    Ocena: 4199
    Do opcji 3 trzeba wiedzieć, co to ma być U1. Mam wrażenie, że w układzie z #10 wystarczy dzielnik z oporników, nie musi być dioda Zenera.

    Dla tranzystora IRF820 w nocie katalogowej ST podano dopuszczalne napięcie bramka-źródła +-30V, więc mógłby być samodzielnie, ale on ma duży opór (typowo 2,5 Ω).

    Jest jeszcze np. STB19NB20 - też +-30V, ale typowy opór 0,15 Ω (maksymalny 0,18) - ten by się nadawał, mają w Semiconductors Bank.

    W TME mają szukanie po parametrach i znalazłem np. P26F28HP2-5600 - maksymalny opór 0,15 Ω. Ale już 5,25zł netto - parę razy droższy od STB19NB20 w SB.
  • #15 21764597
    SzeryfK
    Poziom 2  
    Posty: 23
    @gklub, dzięki za podlinkowanie dokumentacji. Zapoznałem się z całością, może nie do końca dobrze. Są tam informacje, że układ wyłącza MOSFET-a, gdy wykryje, że prąd płynie w przeciwnym kierunku, ale przykłady nawiązywały do stanu od razu po wyłączeniu tranzystora, a nie znalazłem info o odwrotnej polaryzacji zasilania. Nie wiem, czy można uznać to za to samo?

    _jta_ napisał:
    Do opcji 3 trzeba wiedzieć, co to ma być U1.

    To dioda idealna LM5050.

    Z góry dziękuję za pomoc w kwestii wytłumaczenia i najlepszego rozwiązania!
  • REKLAMA
  • Pomocny post
    #16 21764729
    CYRUS2
    Poziom 43  
    Posty: 17765
    Pomógł: 1226
    Ocena: 3477
    SzeryfK napisał:
    Witam,
    Buduję układ, który zasilany będzie z akumulatora 24 V. Chciałbym zabezpieczyć układ przed odwrotną polaryzacją napięcia zasilania. Dodam, że prąd pobierany przez układ będzie dosyć duży — około 2/3 A.
    Przekaźnik z cewką 24V i zwykła dioda szeregowo z cewką.
    Nie ma żadnych strat ani kombinacji z układem elektronicznym.
    SzeryfK napisał:

    Opcja 1 to dioda Schottky'ego szeregowo w linii zasilania, ale uważam, że dioda nie wytrzyma takiego prądu.
    Wytrzyma, ale potrzbny mały radiator.
    Stosuję taką diodę - BYS30 - zabezpieczającą aku przed zwarciem na na zaciskach przewodu ładowania.
    Spadek napięcia to 0,45V/5A.
    Dioda BYS30 zamocowana na aluminiowym uchwycie z podłączonymi przewodami.
  • Pomocny post
    #17 21764754
    _jta_
    Specjalista elektronik
    Posty: 48884
    Pomógł: 3200
    Ocena: 4199
    Ciekawostka - dioda SBC3040-3G, końcówki o średnicy 1,6 mm, może prostować 30 A przy temperaturze końcówek do 50°C, cena około 5zł, typowy spadek napięcia 0,25 V przy 5 A. https://www.piekarz.pl/36183-dioda-diotec-sbx3040-3g/

    BYS30 - były różne diody z takim oznaczeniem, chyba chodzi o https://www.pdf.support/infineon.com/BYS30.html

    Układ z LM5050 - do sterowania N-MOSFET-a (w prostym układzie, jak ma być odłączanie od strony plusa, trzeba by użyć P-MOSFET-a) - ale ten scalak uległby uszkodzeniu przy odwrotnym podłączeniu zasilania, trzeba by go jakoś zabezpieczyć. Schemat z takim zabezpieczeniem podano w nocie katalogowej https://www.ti.com/lit/ds/symlink/lm5050-1-q1.pdf
  • #18 21764881
    SzeryfK
    Poziom 2  
    Posty: 23
    @_jta_ Bardzo dziękuję za poniższe tłumaczenie:

    _jta_ napisał:
    Układ z LM5050 - do sterowania N-MOSFET-a (w prostym układzie, jak ma być odłączanie od strony plusa, trzeba by użyć P-MOSFET-a) - ale ten scalak uległby uszkodzeniu przy odwrotnym podłączeniu zasilania, trzeba by go jakoś zabezpieczyć. Schemat z takim zabezpieczeniem podano w nocie katalogowej https://www.ti.com/lit/ds/symlink/lm5050-1-q1.pdf


    Reasumując zastosowanie LM5050 nie ma większego sensu, w związku z czym postanowiłem wykorzystać tylko i wyłącznie tranzystor - P-MOSFET, który wykorzystuję w innym miejscu tego projektu: AOD413A. Może poszukam później innego, żeby miał mniejszy RDS(on). Taki schemat wykonałem — co o nim myślicie?

    Schemat z tranzystorem P-MOSFET AOD413A i zabezpieczeniem z diodą Zenera

    Z góry bardzo dziękuję i pozdrawiam!
  • Pomocny post
    #19 21764887
    Mastertech
    Poziom 30  
    Posty: 1802
    Pomógł: 106
    Ocena: 377
    CYRUS2 napisał:
    Przekaźnik z cewką 24V i zwykła dioda szeregowo z cewką.
    Nie ma żadnych strat ani kombinacji z układem elektronicznym.

    Też to rozwiązanie polecam, często je stosuję. Tracisz tylko tyle co prąd przepływający przez cewkę.
  • Pomocny post
    #20 21764957
    _jta_
    Specjalista elektronik
    Posty: 48884
    Pomógł: 3200
    Ocena: 4199
    SzeryfK napisał:
    taki schemat wykonałem, co o nim myślicie?

    Bardzo dobry, przy I=2/3 A spadek napięcia 30 mV, moc tracona 20 mW - warto próbować to zmniejszyć? Mówią: lepsze jest wrogiem dobrego...
  • #21 21766739
    SzeryfK
    Poziom 2  
    Posty: 23
    _jta_ napisał:
    Bardzo dobry, przy I=2/3 A spadek napięcia 30 mV, moc tracona 20 mW - warto próbować to zmniejszyć? Mówią: lepsze jest wrogiem dobrego...


    Jeszcze raz bardzo dziękuję za pomoc!

    Jeszcze tak przeglądam materiały, z których korzystam:
    https://www.electronics-tutorials.ws/pl/tranzystor/mosfet-jako-przelacznik.html
    I zastanawiam się, czy tranzystor nie powinien być obrócony? Nie wiem, czy dobrze przedstawiłem, gdzie wpływa prąd, a gdzie wypływa - na moim schemacie 24 V to główne napięcie od akumulatora, a 24_WE to napięcie, którym chcę zasilać całą elektronikę.

    Z góry dziękuję za potwierdzenie!
  • #22 21766813
    gklub
    Poziom 34  
    Posty: 1706
    Pomógł: 292
    Ocena: 729
    Nie powinien.
    Ty masz pmosa, a twój przykład to nmos.
    Pmos otwierany jest napięciem ujemnym bramki do źródła, nmos dodatnim.
    Jak prześledzisz to sam zrozumiesz działanie w obu przypadkach.
    Schemat z tranzystorem PMOS AOD413A zabezpieczający układ przed odwrotną polaryzacją.
    Wyobraź sobie, że podłączasz błędnie +24V do punktu B, masę zasilania do A.
    Masz szeregowe połączenie twojego układu i pmosa.
    Cała sztuka ochrony polega na tym, żeby nigdy nie było napięcia wstecznego między B i C.
    Ponieważ teraz bramka pmosa nie ma ujemnego napięcia w stosunku do jego źródła, pmos nie przewodzi.
    Czyli masz szeregowe połączenie teoretycznie nieskończonej "rezystancji" pmosa i skończonej jakiejś tam wypadkowej "rezystancji" chronionego układu.
    To znaczy, że całe odwrotnie podłączone napięcie odłoży się na pmosie, a nic na chronionym układzie - i o to chodzi :)
  • #23 21766945
    _jta_
    Specjalista elektronik
    Posty: 48884
    Pomógł: 3200
    Ocena: 4199
    W układzie zabezpieczenia przed odwrotnym podłączeniem zasilania MOSFET pracuje w podłączeniu odwrotnym do normalnego - jeśli zasilanie będzie odwrotnie podłączone, to MOSFET będzie w normalnym podłączeniu i będzie wyłączony, a przy prawidłowym podłączeniu zasilania przewodzi wbudowana dioda MOSFET-a (zwróć uwagę na jej kierunek - nie może być taki, by przewodziła przy odwrotnym podłączeniu zasilania!), i na jego bramkę zostaje podane napięcie, które go włącza (to napięcie jest podane poprzez opornik, więc ładowanie bramki może potrwać ułamek milisekundy, i przez ten czas przewodzi dioda - jak już jest włączony, to na nim jest dużo mniejszy spadek napięcia, niż potrzebny do przewodzenia diody).

    Prosty układ z MOSFET-em: N-MOSFET, źródło do -układu, dren do -zasilania, +zasilania do +układu, bramka do dzielnika między +układu i -układu; dzięki wbudowanej diodzie -układu jest najwyżej o około 0,5V powyżej -zasilania, bramka dostaje połowę napięcia zasilania, to włącza MOSFET-a, i jego prąd płynie "do tyłu"; a jak odwrotnie podłączysz zasilanie, to na układzie nie ma napięcia - +układu i -układu mają potencjał -zasilania, bramka też, i MOSFET jest wyłączony, +zasilania dochodzi tylko do drenu. Można by jeszcze dodać diodę, która przy odwrotnym podłączeniu zasilania rozładuje bramkę (ale bramka rozładuje się przy przerwie zasilania w ciągu około milisekundy). Jak ma być wyłączanie od strony '+', to P-MOSFET i zamienić '+' z '-'.

    MOSFET ma to do siebie, że jak jest włączony, to przewodzi w obie strony; jak jest wyłączony, to może przewodzić wbudowana dioda.
  • #24 21865808
    SzeryfK
    Poziom 2  
    Posty: 23
    @gklub @_jta_
    Cześć, wracam do tego tematu, gdyż zaproponowane przez WAS rozwiązanie zastosowałem i działa doskonale!
    Natomiast buduję inny układ, w którym chcę zastosować to samo rozwiązanie, ale Chat GPT twierdzi, że powinienem wykonać to inaczej:

    Zrzut ekranu rozmowy o P‑MOSFET: dioda pasożytnicza, zamiana D i S, uwagi o Vgs i 24 V

    Czy jesteście w stanie wytłumaczyć mi, czy jego rozwiązanie również ma sens? Jakie ono ma wady? Chodzi mi o czysto techniczną wiedzę.

    Z góry dziękuję.
    Pozdrawiam
  • #25 21865992
    gklub
    Poziom 34  
    Posty: 1706
    Pomógł: 292
    Ocena: 729
    Zrzut ekranu: schemat MOSFET IRF7406 z in+/out+ i in-/out-, obok wykresy napięć i prądów
    Jakie jest napięcie między drenem i źródłem przy odwrotnym podłączeniu zasilania?
    Być może czat zamienił źródło z obciążeniem...
  • #26 21866048
    _jta_
    Specjalista elektronik
    Posty: 48884
    Pomógł: 3200
    Ocena: 4199
    W skrócie, reguły powinny być takie (jeśli napisałem inaczej, to się pomyliłem - często jestem zmęczony, i mogę się pomylić):
    * MOSFET z kanałem P jeśli przez niego ma być połączenie na '+', N jeśli na '-' (często '-' uznaje się za masę, i robi się wspólny - wtedy kanał P);
    * MOSFET przy poprawnym podłączeniu zasilania ma przewodzić prąd w odwrotną stronę, niż zwykle (z kanałem P zwykle podaje się '-' na dren, a tu '+').

    A jeśli chodzi o zabezpieczenie bramki: mało jest MOSFET-ów, którym nie szkodzi 30V między bramką, a źródłem, więc w instalacji "24V", w której napięcie potrafi przekraczać 28V, wypada jakoś to napięcie ograniczyć - np. diodą Zenera (i ograniczyć prąd tej diody opornikiem).

    Jeszcze jedno do przemyślenia: kiedy podłącza się napięcie odwrotnie, MOSFET zostaje spolaryzowany "normalnie", i ładowanie się pojemności dren-bramka podaje na bramkę napięcie, które może go włączyć... może dodać pojemność między bramkę, a źródło, żeby ładunek pojemności dren-bramka nie dał na bramce wystarczającego napięcia do włączenia? Pewnie w układzie "12V" nie ma z tym problemu, ale w układzie z ograniczaniem napięcia bramki może być. Może wyliczyć potrzebną pojemność tak: odczytać z noty katalogowej ładunek bramki (istotny jest ładunek z pojemności dren-bramka), i podzielić go przez napięcie progowe - wynik, to będzie pojemność, którą trzeba dołączyć, i pewnie wyjdzie od kilku do kilkudziesięciu nF.

Podsumowanie tematu

✨ Dyskusja dotyczy zabezpieczenia układu zasilanego napięciem 24 V i prądem około 2-3 A przed odwrotną polaryzacją. Rozważano trzy główne rozwiązania: szeregową diodę Schottky’ego, równoległe połączenie diody Schottky i bezpiecznika oraz układ z tranzystorem MOSFET (tzw. dioda idealna). Zastosowanie mostka Graetza zostało zaproponowane jako uniwersalne rozwiązanie, jednak wiąże się z większymi stratami mocy (około 4,2 W przy 3 A) i koniecznością chłodzenia. Mostek z diodami Schottky zmniejsza straty do około 2 W. Szeregowa dioda Schottky jest wystarczająca przy prądzie 2-3 A, a popularne modele to 1N5819, 1N5821, 1N5822. Układ z P-MOSFET-em (np. AOD413A, STB19NB20, P26F28HP2-5600) oferuje znacznie mniejsze straty mocy (rzędu kilkudziesięciu mW) i jest preferowany, choć wymaga odpowiedniego sterowania bramką i zabezpieczenia przed przekroczeniem napięcia bramka-źródło (np. dioda Zenera). Dyskutowano poprawne podłączenie MOSFET-a, gdzie P-MOSFET jest włączany w szereg z zasilaniem, a jego bramka sterowana jest napięciem ujemnym względem źródła, co powoduje wyłączenie przy odwrotnej polaryzacji. Wspomniano także o układzie LM5050 jako kontrolerze MOSFET, jednak jego stosowanie jest mniej praktyczne ze względu na złożoność i wrażliwość na odwrotną polaryzację. Alternatywnie zaproponowano zabezpieczenie przekaźnikiem z diodą szeregową, które eliminuje straty mocy, ale wymaga elementów mechanicznych. Podsumowując, najlepszym kompromisem jest zastosowanie P-MOSFET-a o niskim RDS(on) z odpowiednim zabezpieczeniem bramki, co zapewnia minimalne straty i skuteczną ochronę przed odwrotną polaryzacją przy prądzie 2-3 A i napięciu 24 V.
Wygenerowane przez model językowy.
REKLAMA