Wnętrze linii opóźniającej 75ns z układu sterującego DRAM

W materiale o tajemniczym elemencie 14T5750 udało się ustalić, że takie linie opóźniające stosowane były w układach generujących sygnały sterujące dla DRAM. Tego typu układy znajdowały się na płytach głównych 286. Na oscylogramach w poprzednim materiale można zauważyć, że niektóre sygnały wyjściowe lini opóźniającej 75ns mają amplitudę kilku woltów a inne kilkuset mV. Prawdopodobnie w układzie uszkodzone są bufory wyjściowe. Spróbujemy otworzyć obudowę uszkodzonego układu i ustalić jak w 14T5750 generowane były opóźnienia.







Zewnętrza obudowa plastikowa jest dość miękka, wewnątrz znajduje się twarda masa, która wypełnia wnętrze.



Wewnątrz zewnętrznej obudowy znajduje się układ scalony w obudowie DIL 14.



Widoczne są typowe połączenia między wyprowadzeniami obudowy a krzemową strukturą układu.



Układ w obudowie DIL 14 został umieszczony w większej obudowie a wolna przestrzeń wypełniona twardą masą.



W przestrzeni nad układem znajdziemy cienki zwinięty drut emaliowany. Zgodnie z sugestią na schemacie w pdf opóźnienia generowane są przez odcinki drutu o odpowiedniej długości. Drut został zwinięty i zalany masą. Układ pod spodem najpewniej umożliwia kształtowanie impulsów na wyjściu głównym i kolejnych odczepach oraz pośredniczy między sygnałem wejściowym a liniami opóźniającymi.



Tutaj lepiej widoczne są kolejne zwoje drutu emaliowanego, którego odcinek wprowadza opóźnienie w propagacji sygnału.



Wewnątrz znajdował się także element SMD, kondensator lub rezystor wyjściowy widoczny na schemacie w pdf.



14T5750 to połączenie układu scalonego i dodatkowych elementów, które zostały umieszczone w jednej obudowie i zalane twardą masą. Przypomina mi to nieco układy hybrydowe grubowarstwowe.

Nie do końca jestem zadowolony z efektów demontażu układu. Udało się ustalić jak generowane były opóźnienia jednak lepszy efekt dałoby np. prześwietlenie RTG obudowy. Wolę gdy można zaprezentować wnętrze układu tak jak w przypadku linii opóźniających 64µs dekoderów SECAM/PAL i można przedstawić wyraźnie szczegóły konstrukcji wewnętrznej tak jak na zdjęciu poniżej. Mimo to umieszczam materiał o wnętrzu 14T5750 jako ciekawostkę o tym, że w komputerach 286 w procesie generowania sygnałów dla pamięci DRAM brały udział zwoje zwiniętego drutu o odpowiedniej długości.

Jestem pewien, że w czasach gdy obserwowałem terkoczące zliczanie RAM na ekranie startujących PC z 286/386 nie miałem pojęcia, że potrzebne są tam opóźnienia sygnałów, które zapewniają druty przycięte na odpowiednią długość.