Witam, chcę zrealizować w swoim projekcie załączanie grzałki PTC zasilanej napięciem +5V poprzez podanie stanu wysokiego na odpowiednim pinie w module ESP8266. Jako, że jestem początkujący prosiłbym o sprawdzenie poprawności przeprowadzonych przeze mnie obliczeń.
Sprawa wygląda następująco, baza tranzystora jest podpięta poprzez rezystor Rb (ograniczający prąd) do wyprowadzenia modułu ESP8266, gdzie będzie podawane napięcie 0 lub 3,3 V (wyłączona/włączona grzałka). Grzałka jest zasilana napięciem 5V, która na początku nagrzewania pobiera ok. 500mA, natomiast po nagrzaniu ok. 200-250mA. Do załączania grzałki zamierzam wykorzystać tranzystor bipolarny 2STX1360.
Założyłem maksymalny prąd kolektora, który będzie pobierany ICmax = 550mA (dodałem 50mA zapasu do max. wartości natężenia jaka pobiera grzałka).
Wzmocnienie prądowe hFE odczytane z wykresu dla natężenia 550mA wynosi ok. 370.
Obliczony maksymalny prąd bazy IBmax=ICmax/hFE = 1,49mA.
Rezystor ograniczający RB = (3,3-0,7)/1,49m = 1,74k Ohm (Tutaj pewnie zastosuje rezystor 1,8k z typoszeregu E24)
Napięcie na tranzystorze w stanie nasycenia dla natężenia 500mA (odczytane z wykresu) wynosi Vcesat = 0,04V
Moc strat wydzielana na tranzystorze P=ICmax*Vcesat = 20mW
Nie jestem pewien czy dobrze policzyłem moc strat? Z tego wynika, że tranzystor nie powinien się nagrzewać podczas pracy z takim natężeniem. Jest jakiś sposób, aby to określić jak bardzo będzie się nagrzewał podczas pracy, bo zastanawiam się czy nie użyć innego tranzystora tzn w innej obudowie np TO220, bo nie wiem jak sobie radzą TO92 z odprowadzaniem ciepła.
Teraz zauważyłem, że tranzystor jest już wycofany z produkcji i na internecie nie można go dostać, a są jeszcze zapasy u mnie w lokalnym sklepie elektronicznym. Zastanawiam się teraz czy wybrać jakiś inny model, który jest obecnie wszędzie dostępny i może w innej obudowie? Chociaż ten ma bardzo przyjemne parametry(niskie napięcie Vcesat oraz wysoka wartość wzmocnienia hFE). Dużo modeli ma wysokie napięcie Vcesat i przy takim natężeniu pewnie będą się bardzo nagrzewać..
Dokumentacja 2STX1360
Sprawa wygląda następująco, baza tranzystora jest podpięta poprzez rezystor Rb (ograniczający prąd) do wyprowadzenia modułu ESP8266, gdzie będzie podawane napięcie 0 lub 3,3 V (wyłączona/włączona grzałka). Grzałka jest zasilana napięciem 5V, która na początku nagrzewania pobiera ok. 500mA, natomiast po nagrzaniu ok. 200-250mA. Do załączania grzałki zamierzam wykorzystać tranzystor bipolarny 2STX1360.
Założyłem maksymalny prąd kolektora, który będzie pobierany ICmax = 550mA (dodałem 50mA zapasu do max. wartości natężenia jaka pobiera grzałka).
Wzmocnienie prądowe hFE odczytane z wykresu dla natężenia 550mA wynosi ok. 370.
Obliczony maksymalny prąd bazy IBmax=ICmax/hFE = 1,49mA.
Rezystor ograniczający RB = (3,3-0,7)/1,49m = 1,74k Ohm (Tutaj pewnie zastosuje rezystor 1,8k z typoszeregu E24)
Napięcie na tranzystorze w stanie nasycenia dla natężenia 500mA (odczytane z wykresu) wynosi Vcesat = 0,04V
Moc strat wydzielana na tranzystorze P=ICmax*Vcesat = 20mW
Nie jestem pewien czy dobrze policzyłem moc strat? Z tego wynika, że tranzystor nie powinien się nagrzewać podczas pracy z takim natężeniem. Jest jakiś sposób, aby to określić jak bardzo będzie się nagrzewał podczas pracy, bo zastanawiam się czy nie użyć innego tranzystora tzn w innej obudowie np TO220, bo nie wiem jak sobie radzą TO92 z odprowadzaniem ciepła.
Teraz zauważyłem, że tranzystor jest już wycofany z produkcji i na internecie nie można go dostać, a są jeszcze zapasy u mnie w lokalnym sklepie elektronicznym. Zastanawiam się teraz czy wybrać jakiś inny model, który jest obecnie wszędzie dostępny i może w innej obudowie? Chociaż ten ma bardzo przyjemne parametry(niskie napięcie Vcesat oraz wysoka wartość wzmocnienia hFE). Dużo modeli ma wysokie napięcie Vcesat i przy takim natężeniu pewnie będą się bardzo nagrzewać..
Dokumentacja 2STX1360